[发明专利]生产包括硅的半导体晶圆的方法

权利要求书

1.一种生产包括硅的半导体晶圆的方法，包括：

从在坩埚中加热的熔融物拉出籽晶的单晶体；

向坩埚底部的中心供应热量，其中加热功率在被拉出的单晶体的圆柱体状区段的进程中增加至少一次达到不小于2kW并接着再次下降；以及

从拉出的单晶体切片半导体晶圆。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，加热功率在一定时间段内以斜坡的形式增加，所述一定时间段不短于90分钟且不长于900分钟。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，将熔融物暴露于水平磁场或CUSP磁场的作用下，其中在坩埚底部的边缘处的磁通量强度不小于50mT。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，包括将熔融物暴露于CUSP磁场的作用下，所述CUSP磁场的中间表面在距熔融物的自由表面平面不小于90mm的距离处与单晶体的中心纵向轴线相交。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，包括：以不大于2转每分的速度旋转坩埚以及以不小于6转每分的速度旋转单晶体。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，包括在1100-8000Pa的压力下将惰性气体以600-12000l/h的按体积计流率引导到熔融物的自由表面。