[发明专利]一种自屏蔽开放式磁共振成像超导磁体无效
| 申请号： | 201110158077.8 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102360690A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王秋良;王春忠;胡新宁;王晖;严陆光;戴银明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01F6/00 | 分类号： | H01F6/00;H01F6/06;G01R33/3815 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 开放式 磁共振 成像 超导 磁体 | ||
【权利要求书】：
1.一种自屏蔽开放式磁共振成像超导磁体，其特征在于，所述的超导磁体由五对线圈组成，五对线圈沿z坐标上下布置，关于中心对称；所述的五对线圈包括一对匀场线圈(1)，一对主磁场线圈一(2)，一对主磁场线圈二(3)，一对主磁场线圈三(4)和一对屏蔽线圈(5)；离中心点最近的是匀场线圈(1)，向外依次布置主磁场线圈一(2)、主磁场线圈二(3)、主磁场线圈三(4)、布置在最外层的是屏蔽线圈(5)；主磁场线圈一(2)通反向电流，主磁场线圈二(3)和主磁场线圈三(4)通正向电流，提供主磁场强度；匀场线圈(1)通正向电流，对中心区域的磁场进行补偿，以提高磁体在球形区域的磁场均匀度；屏蔽线圈(5)通反向电流，产生与主磁场相反的磁场，以补偿空间的杂散磁场。
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