[发明专利]电子发射器件、使用它的图像显示装置及它们的制造方法无效
申请号: | 201110158507.6 | 申请日: | 2011-06-14 |
公开(公告)号: | CN102290308A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 筒井晓;住谷利治;蜂巢高弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01J29/04 | 分类号: | H01J29/04;H01J31/12;H01J9/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 发射 器件 使用 图像 显示装置 它们 制造 方法 | ||
1.一种电子发射器件,包括:
台阶形状形成部件,具有上面和侧面并被置于基板上;
栅极,被置于台阶形状形成部件的上面上;
凹形部分,在台阶形状形成部件的侧面处、在栅极正下方形成;以及
阴极,被置于台阶形状形成部件的侧面上并且具有上端,在所述上端处,形成从凹形部分的下边缘朝向上边缘的方向上突起的突起部分,
其中,从凹形部分的下边缘到台阶形状形成部件的高度方向上的中间部分所形成的台阶形状形成部件的侧面的上部的倾斜角不大于从所述中间部分到台阶形状形成部件的下端部分所形成的台阶形状形成部件的侧面的下部的倾斜角,以及
沿侧面的上部的阴极的上部的电阻不大于沿侧面的下部的阴极的下部的电阻。
2.根据权利要求1的电子发射器件,其中,
侧面的下部的倾斜角比台阶形状形成部件的侧面的上部的倾斜角大10度。
3.根据权利要求1的电子发射器件,其中,
阴极的下部的电阻为阴极的上部的电阻的15倍或更大。
4.根据权利要求1至3中任一项的电子发射器件,其中,
侧面的下部的倾斜角在70度至90度的范围内。
5.根据权利要求1至3中任一项的电子发射器件,其中,
台阶形状形成部件的侧面的下部的高度大于台阶形状形成部件的侧面的上部的高度。
6.根据权利要求4的电子发射器件,其中,
台阶形状形成部件的侧面的下部的高度大于台阶形状形成部件的侧面的上部的高度。
7.一种图像显示装置,包括:
后板,在所述后板上,根据权利要求1至6中任一项的电子发射器件的阴极通过阴极的下部与布线连接;以及
面板,具有阳极和发光部件,所述阳极被设置为与阴极的突起部分相对,而在阳极和阴极之间夹着栅极,所述发光部件响应于电子的照射而发光,
其中,后板和面板被布置为彼此相对,而在其间形成间隙。
8.一种制造电子发射器件的方法,包括以下步骤:
蚀刻通过在基板上依次层叠第一绝缘材料、第二绝缘材料和第一导电材料所形成的叠层结构,以形成具有上面和侧面并且在上面处具有第一导电材料层的台阶形状形成部件;
进一步蚀刻第二绝缘材料层,以在台阶形状形成部件的侧面处、在第一导电材料层正下方形成凹形部分;以及
之后,接合第二导电材料,以形成阴极并形成栅极,所述阴极被置于台阶形状形成部件的侧面上并且具有上端,在所述上端处,形成从凹形部分的下边缘朝向上边缘的方向上突起的突起部分,所述栅极仅包含第一导电材料层,或者包含第一导电材料层和层叠于第一导电材料层上的第二导电材料层,
其中,所述方法还包括以下步骤:
多次形成第一绝缘材料层,
其中,在蚀刻叠层结构的步骤期间,蚀刻速率被设定,使得第一绝缘材料层的下部的蚀刻速率小于第一绝缘材料层的上部的蚀刻速率,使得从凹形部分的下边缘到台阶形状形成部件的高度方向上的中间部分所形成的台阶形状形成部件的侧面的上部的倾斜角不大于从所述中间部分到台阶形状形成部件的下端部分所形成的台阶形状形成部件的侧面的下部的倾斜角,以及
第二导电材料从与基板的表面垂直的方向被供给。
9.一种制造电子发射器件的方法,包括以下步骤:
蚀刻通过在基板上依次层叠第一绝缘材料、第二绝缘材料和第一导电材料所形成的叠层结构,以形成具有上面和侧面并且在上面处具有第一导电材料层的台阶形状形成部件;
进一步蚀刻第二绝缘材料层,以在台阶形状形成部件的侧面处、在第一导电材料层正下方形成凹形部分;以及
之后,接合第二导电材料,以形成阴极并形成栅极,所述阴极被置于台阶形状形成部件的侧面上并且具有上端,在所述上端处,形成从凹形部分的下边缘朝向上边缘的方向上突起的突起部分,所述栅极仅包含第一导电材料层,或者包含第一导电材料层和层叠于第一导电材料层上的第二导电材料层,
其中,在不同的条件下多次执行蚀刻叠层结构的步骤,使得从凹形部分的下边缘到台阶形状形成部件的高度方向上的中间部分所形成的台阶形状形成部件的侧面的上部的倾斜角不大于从所述中间部分到台阶形状形成部件的下端部分所形成的台阶形状形成部件的侧面的下部的倾斜角,以及
第二导电材料从与基板的表面垂直的方向被供给。
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