[发明专利]硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一，对研磨抛光后的半导体元器件进行超声波清洗和氮气吹干；

第二，将清洗完毕的半导体元器件安装于专用夹具上，需要处理的表面向外；

第三，将真空镀膜室抽至1*10^-4Pa以上的真空度；

第四，向真空镀膜室中通入高纯氩气和高纯四氟化碳气体，所述氩气和四氟化碳气体的流量分别为Ar-30sccm，CF₄-120sccm；

第五，开启刻蚀电极的电源，开始对半导体元器件进行反应离子刻蚀；离子刻蚀过程中，施加在刻蚀电极上的直流电压功率为2kW～4kW；离子刻蚀的时间为80分钟；

第六，结束反应离子刻蚀后，重新将真空室抽气至1*10^-4Pa以上的真空度；

第七，向真空镀膜室中通入高纯氩气，并保持真空度在1.5Pa至2.5Pa之间；

第八，开启带有钌靶的磁控溅射阴极，开始沉积金属钌的镀膜工艺，沉积时施加在阴极靶上的电源功率的功率密度为10～15W/cm²，直至金属钌沉积涂层厚度500nm～700nm之间为止。

2.根据权利要求1所述的硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，其特征在于：所述硬质材质半导体元器件的的材质为金属钼。

3.根据权利要求1所述的硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，其特征在于：所述专用夹具为一垂直设置于支架的平板，所述专用夹具上设于用于紧固半导体元器件的紧固螺钉，所述支架设于所述真空镀膜室并相对固定连接于一转轴。

4.根据权利要求3所述的硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，其特征在于：所述同一个专用夹具上紧固有至少两个待加工的半导体元器件。

5.根据权利要求1所述的硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，其特征在于：所述高纯氩气和高纯四氟化碳气体均为5N以上的纯度。

6.根据权利要求1所述的硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，其特征在于：若需双面刻蚀所述半导体元器件，在所述第五和第六步骤之间还包括将半导体元器件倒置使其另一未处理的表面向外的步骤，并重复第三至第五步骤。

7.根据权利要求6所述的硬质材质半导体元器件的金属钌薄膜的制备方法，其特征在于：若所述半导体元器件需双面镀膜，在所述第八步骤后还包括将半导体元器件倒置使其另一未处理的表面向外的步骤，并重复第六至第八步骤。