[发明专利]测试设备及测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对被测试设备进行高压测试的测试设备及测试方法。

背景技术

存在一种测试方法，通过该方法对被测试设备施加较高的测试电压，且对被测试设备进行高压测试。使用这种类型的测试方法，会在被测试设备的电极之间、被测试设备的电极与测试设备之间等发生介质击穿而引起放电，有可能导致被测试设备或测试设备损坏，还有可能导致对被测试设备的测试没有正确地进行。

因此，存在一种将被测试设备置于具有高绝缘性的气体环境中，例如六氟化硫气体(SF₆)，并在确保测试环境的介质强度的情况下进行高压测试的技术。

然而，具有高绝缘性的气体，尤其是六氟化硫气体具有很高的全球变暖潜能值(GWP)，对全球环境造成的负担很大。例如，六氟化硫的全球变暖潜能值为23900。

因此，考虑用其它方法来抑制放电，而不使用具有高绝缘性的气体。例如，存在一种在放电路径中设置一绝缘屏蔽物的技术。例如，存在一种具有绝缘屏蔽物的高压测试设备，该绝缘屏蔽物与被检测对象物的第一引线和第二引线之间的密封体表面相接触(例如参照专利文献JP-A-11-271387)。还有一种半导体晶片测量设备，其中，绝缘构件介于一对与晶片相接触的探针的前端之间，以此来与晶片接触(例如参照专利文献JP-A-2010-10306)

作为其它方法，还有一种在将被测试设备浸入到绝缘溶液中的状态下进行测试的技术。例如，存在一种将半导体设备浸入到具有绝缘性的碳氟化合物溶液中来进行耐压测量的技术(例如参照专利文献JP-A-6-120315)。还有一种通过用绝缘溶液至少将半导体衬底的表面覆盖，并且在半导体衬底上的至少两个位置之间施加电压，来检测半导体衬底的耐压的技术(例如参照专利文献JP-A-2003-100819)。

然而，对于在放电路径中设置绝缘屏蔽物的方法，需要有将绝缘屏蔽物设置在预定位置的结构，这意味着测试设备有可能变复杂。

同样对于在将被测试设备浸入到绝缘溶液中的状态下进行测试的方法，处理绝缘溶液意味着用来进行测试的设备有可能变复杂。例如，当使用低沸点的溶液例如碳氟化合物作为绝缘溶液时，需要有用来防止绝缘溶液在测试过程中蒸发的设备、或在干燥时用来排气或回收气体的设备。此外，即使使用沸点不低的溶液作为绝缘溶液，也仍需要用来清洗的设备。

发明内容

鉴于这些问题，本发明的目的在于提供一种实现高压测试的测试设备及测试方法，同时减小对全球环境造成的负担，又不会使测试设备或用于测试的设备复杂化。

为了达到上述目的，提供以下几种测试设备及测试方法。

该测试设备包括：压力容器；安装台，该安装台设置在压力容器的内部空间中，并在安装台上安装有被测试设备；测试电极，这些测试电极设置在压力容器的内部空间中，向安装在安装台上的被测试设备提供测试电压；以及增压单元，该增压单元使压力容器的内部空间中的气压升高，其中，在利用增压单元使压力容器的内部空间中的气压升高的状态下，从测试电极向安装在安装台上的被测试设备提供测试电压，并对被测试设备进行测试。

此外，测试方法包括以下步骤：将被测试设备安装到设置在压力容器的内部空间中的安装台上的步骤；使得压力容器的内部空间中的气压升高的步骤；以及在压力容器的内部空间中的气压升高的状态下，从设置在内部空间中的测试电极向安装在安装台上的被测试设备提供测试电压，且对被测试设备进行测试的步骤。

根据本发明的测试设备及测试方法，能够实现高压测试，同时减小对全球环境造成的负担，又不会使测试设备或用于测试的设备复杂化。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的测试设备的一个例子的示图；

图2是示出根据第一实施例的测试方法的一个例子的流程图；

图3A和图3B是示出帕邢曲线的例子的示图；

图4是示出根据第二实施例的测试设备的一个例子的示图；

图5是示出根据第二实施例的测试方法的一个例子的流程图；

图6是示出根据第二实施例的测试方法的另一个例子的流程图；

图7A和图7B是示出根据第三实施例的介质强度测试的一个例子的示图；

图8是示出根据第三实施例的介质强度测试的另一个例子的示图；

图9A和图9B是示出根据第四实施例的测试电路的一个例子的示图及其时序图；

图10A和图10B是示出根据第四实施例的测试电路的另一个例子的示图及其时序图；

图11A和图11B是示出根据第四实施例的测试电路的又一个例子的示图及其时序图；