[发明专利]一种具有光致发光特性的单晶硅及其制备方法无效
| 申请号： | 201110159178.7 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102260496A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 关庆丰;彭冬晋;李艳;顾倩倩 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 光致发光 特性 单晶硅 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有光致发光特性的单晶硅，其特征在于：采用强流脉冲电子束对单晶硅表面进行脉冲轰击处理后获得。
2.如权利要求1所述的一种具有光致发光特性的单晶硅，其特征在于：所述具有光致发光特性的单晶硅的发光光谱的波长在380~420 nm之间。
3.如权利要求1所述的一种具有光致发光特性的单晶硅，其特征在于：所述强流脉冲电子束能量为23~26 KeV，脉冲轰击次数为1~30次，轰击时单晶硅样品距强流脉冲电子束发射装置阴极电子枪的距离为5~10 cm。
4.如权利要求1所述的一种具有光致发光特性的单晶硅，其特征在于：所述强流脉冲电子束能量为24.3 KeV，脉冲轰击次数为10次，单晶硅样品距阴极电子枪的距离L=5cm。
5.如权利要求1所述的一种具有光致发光特性的单晶硅，其特征在于：所述强流脉冲电子束能量为26 KeV，脉冲轰击次数为1次，单晶硅样品距阴极电子枪的距离L=6cm。
6.如权利要求1所述的一种具有光致发光特性的单晶硅的制备方法，其特征在于包括如下步骤：单晶硅清洗后将单晶硅置于强流脉冲电子束发射装置中，对单晶硅表面进行脉冲轰击处理，获得具有光致发光特性的单晶硅，电子束发射装置的电子束能量为23~26 KeV，脉冲轰击次数为1~30次，单晶硅样品距电子束发射装置阴极电子枪的距离为5~10 cm。
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