[发明专利]基底清洁系统和方法

权利要求书

1.一种基底清洁系统，所述基底清洁系统包括：

运送单元，包括用于运送基底的多个辊，其中，所述多个辊中的每个辊包括辊轴和结合到辊轴的多个分隔辊，多个辊轴中相邻的辊轴之间的间隙大于所述多个分隔辊中的每个分隔辊的半径；

第一冲洗单元，沿所述运送单元设置，并被构造成将第一清洁液施加到所述基底上；

清洁单元，包括狭缝喷嘴并被构造成在基底与所述第一冲洗单元相遇之后将第二清洁液涂覆到所述基底上。

2.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，当所述多个辊轴中的第一辊轴与所述多个辊轴中的第二辊轴彼此相邻时，所述第一辊轴上的分隔辊不与所述第二辊轴上的分隔辊对齐。

3.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，硅层和氧化硅膜位于所述基底上。

4.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，所述第一清洁液为超纯水或去离子水，所述第二清洁液为包含氟化铵或氢氟酸的水溶液。

5.根据权利要求4所述的基底清洁系统，其中，所述第二清洁液中的氢氟酸的浓度在0.2wt％和2.0wt％之间。

6.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，所述狭缝喷嘴的喷射口的宽度在0.1mm和2mm之间。

7.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，所述狭缝喷嘴包含耐氢氟酸的材料。

8.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，所述狭缝喷嘴和所述基底的上表面之间的第二间隙在1.5mm和5mm之间。

9.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，所述清洁单元还包括：

气刀，被构造成从所述基底去除所述第一清洁液；

水刀，被构造成从所述基底去除所述第二清洁液。

10.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，所述基底清洁系统还包括第二冲洗单元，所述第二冲洗单元被构造成将第三清洁液施加到与所述清洁单元相遇过的所述基底。

11.根据权利要求10所述的基底清洁系统，其中，所述第三清洁液为超纯水或去离子水。

12.根据权利要求1所述的基底清洁系统，其中，所述辊轴中的相邻的辊轴之间的间隙为大约20mm或更小。

13.一种清洁基底的方法，所述方法包括：

将基底装载在运送单元上；

使所述基底与所述运送单元一起在第一冲洗单元下方移动，并且利用所述第一冲洗单元将第一清洁液施加到所述基底；

使所述基底与所述运送单元一起在清洁单元下方移动，并利用所述清洁单元的狭缝喷嘴将第二清洁液涂覆到所述基底；

在使涂覆有所述第二清洁液的所述基底维持在水平状态的同时执行所述第二清洁液的反应工序。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述反应工序的反应时间段在5秒和100秒之间。

15.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括在所述基底上形成硅层和氧化硅膜，其中，在所述反应工序中利用所述第二清洁液蚀刻所述氧化硅膜。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，将第二清洁液涂覆到所述基底的步骤包括在所述基底上将所述第二清洁液形成为预定厚度。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，在使所述基底维持在水平状态的同时执行将第二清洁液涂覆到所述基底的步骤。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，在第二清洁液涂覆到所述基底的过程中，所述缝隙喷嘴和所述基底的上表面之间的间隙在1.5mm和5mm之间。

19.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在将所述第一清洁液喷射到所述基底之后，利用气刀从所述基底去除所述第一清洁液。

20.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：在执行完所述第二清洁液的反应工序之后，利用水刀从所述基底去除所述第二清洁液的反应材料。