[发明专利]用于实现交叉传导或者半传导存取线的交叉杆阵列的方法

权利要求书

1.一种用于在衬底(2)上实现交叉传导或者半传导存取线的交叉杆阵列的方法，所述交叉杆阵列包括：

-在与所述衬底(2)平行的平面中在交叉杆阵列绝缘体(4)上的第一级线，包括在传导或者半传导材料中实现的相互平行的多个第一线；

-在所述第一级线上方的第二级线，包括在传导或者半传导材料中实现的相互平行的多个第二线，所述第二线与所述第一线基本上垂直，

其特征在于，所述方法包括以下阶段：

-在所述衬底(2)上形成(101)基本上矩形形状的第一腔(1)；

-形成(104)向所述第一腔(1)叠加的基本上矩形形状的第二腔(6)，所述第一腔和第二腔(1，6)相互垂直相交以便形成合成腔；

-利用第一双嵌段共聚物层(9)覆盖所述合成腔的基部，所述第一双嵌段共聚物层(9)包括由第一聚合物的线和第二聚合物的线交替形成的线阵列，所述线按照所述第二腔(6)的长度来平行布置；

-取出(107)所述第一聚合物的线，以便形成第一槽和所述第二聚合物的线的交替；

-实现第一传导或者半传导材料层在所述槽和所述第二聚合物的线上的保形沉积(109)；

-取出(110)由所述第一传导或者半传导材料覆盖的所述第二聚合物的线，以便实现所述第一级线；

-有选择地取出(111)形成所述第二腔(6)的材料，以便使所述第一腔(1)的按照它的宽度由所述第一级线部分覆盖的基部变成可存取；

-在已经变成可存取的所述第一腔(1)中沉积(113)第二传导或者半传导材料层；

-利用第二双嵌段共聚物层覆盖所述第二传导或者半传导材料层，所述第二双嵌段共聚物层包括由第三聚合物的线和第四聚合物的线交替形成的线阵列，所述线(P3，P4)与所述第一和第二聚合物的线(P1，P2)基本上垂直；

-取出(117)所述第四聚合物的线，以便形成第二槽和第三聚合物的线的交替；

-在所述第二槽中取出(118)所述第二传导或者半传导材料，以便实现所述第二级线。

2.根据前述权利要求所述的方法，其特征在于，包括在已经变成可存取的所述第一腔(1)中沉积(113)第二传导或者半传导材料层之前，包括通过施加电场而具有阻抗开关性质的材料层的沉积阶段(112)，在所述第二槽中的所述第二传导或者半传导层的取出阶段(118)伴随有取出包括开关性质的所述材料层。

3.根据前述权利要求所述的方法，其特征在于，通过施加电场而包括阻抗开关性质的所述材料为以下类型：

-二元氧化物；

-固体电解质；

-基于三元氧化物的钙钛矿；

-相变材料；

-具有电阻开关性质的分子或者聚合物；或者

-磁性材料，能够形成磁型或者自旋阀隧道结。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于：

-所述第一腔(1)包括与所述第二双嵌段共聚物的节距的倍数相等的宽度；

-第二腔(6)包括与所述第一双嵌段共聚物(9)的节距的倍数相等的宽度。

5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在所述第一腔(1)的形成阶段(101)之后是以下两个阶段：

-在所述第一腔(1)的边缘和基部上沉积(102)绝缘材料层(4)；

-在所述绝缘材料层(4)上沉积(103)适合相对于所述第二聚合物的线和所述绝缘材料(4)以有选择性的方式蚀刻的材料层(5)。

6.根据前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述第二腔的形成阶段(104)包括：

-沉积适合相对于形成所述第一腔(1)的基部和边缘的材料以有选择性的方式蚀刻的材料层(7)；

-取出所述材料层(7)的部分，使得所述第二腔(6)的基部由所述第一腔(1)的、由适合相对于所述第二聚合物的线和所述绝缘材料(4)以有选择性的方式蚀刻的所述材料层(5)的材料覆盖的基部形成。

7.根据权利要求5或者6所述的方法，其特征在于，在所述第一聚合物的线的取出阶段(107)之后是经过所述第一槽对于适合相对于所述第二聚合物的线和所述绝缘材料层(4)以有选择性的方式蚀刻的所述材料(5)的取出阶段(108)。