[发明专利]MOS器件版图批量化设计方法

权利要求书

1.一种MOS器件版图批量化设计的方法，包括：

确定栅极层的形状和尺寸；

以栅极层为自变量，确定有源区层的形状和尺寸；

以有源区层为自变量，确定注入层、阱层的形状和尺寸；

以栅极层和有源区层为自变量，确定通孔的形状和尺寸；以及

以通孔为自变量，确定金属层的形状和尺寸。

2.如权利要求1的方法，其中，通孔的长度和宽度均小于栅极层和/或有源区层的长度和宽度。

3.如权利要求1的方法，其中，金属层的长度和宽度大于通孔的长度和宽度，且金属层的长度和宽度小于栅极层和/或有源区层的长度和宽度。

4.如权利要求1的方法，其中，有源区层对称分布在栅极层的两侧，有源区层的宽度大于栅极层的宽度，且有源区层的长度小于栅极层的长度。

5.如权利要求4的方法，其中，注入层的宽度和长度均大于有源区层的宽度和长度，阱层的宽度和长度均大于注入层的宽度和长度。

6.如权利要求1的方法，其中，有源区层非对称分布在栅极层的两侧，有源区层的宽度大于栅极层的宽度，且有源区层的长度小于栅极层的长度，有源区层包括位于栅极层一侧的源极有源区层和体极有源区层，以及位于栅极层另一侧的漏极有源区层。

7.如权利要求6的方法，其中，漏极有源区层、源极有源区层和体极有源区层长度相等，源极有源区层的宽度等于漏极有源区层的宽度，体极有源区层的宽度小于源极有源区层和/或漏极有源区层。

8.如权利要求6的方法，其中，注入层包括第一类型注入层和第二类型注入层，第一类型注入层、第二类型注入层的长度均大于有源区层的长度，第一类型注入层与第二类型注入层宽度之和大于有源区层的宽度，体极有源区层位于第二类型注入层内，源极有源区层和漏极有源区层位于第一类型注入层内，阱层的宽度大于第一类型注入层与第二类型注入层的宽度之和，阱层的长度大于第一类型注入层或第二类型注入层的长度。

9.如权利要求6的方法，其中，漏极有源区层、源极有源区层和体极有源区层宽度相等，漏极有源区层的长度等于源极有源区长度与体极有源区层长度之和。

10.如权利要求9的方法，其中，注入层包括源极第一类型注入层、漏极第一类型注入层和第二类型注入层，漏极第一类型注入层宽度、源极第一类型注入层与第二类型注入层宽度相等且均大于漏极或源极有源区层宽度，漏极第一类型注入层长度等于源极第一类型注入层长度与第二类型注入层长度之和，阱层的长度大于漏极第一类型注入层长度，阱层的宽度大于漏极第一类型注入层宽度与源极第一类型注入层宽度之和。