[发明专利]通过热处理从所蚀刻的衬底去除卤素残余物的集成方法

权利要求书

1.一种从衬底去除挥发性残余物的方法，包括：

用包括卤素的化学物质在处理系统的处理室中处理衬底；

将被处理的衬底从处理室传送到处理系统的真空交换腔室，其中该真空交换腔室配置成将衬底从处理系统内部的真空环境传送到处理系统外部的大气环境；和

在供给该真空交换腔室的气体混合物存在下，在所述真空交换腔室中从被处理的衬底去除挥发性残余物，所述气体混合物选自O₂、O₃、H₂O、烷类、烯烃、N₂和H₂组成组。

2.根据权利要求1所述的方法，其中从被处理的衬底去除该挥发性残余物还包括：在真空交换腔室中将该被处理的衬底暴露于等离子体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中将该被处理的衬底暴露还包括：以远程等离子体源形成等离子体。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成等离子体还包括：将等离子体功率维持在约500瓦特和约6000瓦特之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中从被处理的衬底去除该挥发性残余物还包括：检测端点。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该气体混合物包括比例为约1∶1至约1∶20之间的O₂和N₂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中从被处理的衬底去除该挥发性残余物还包括：将被处理的衬底加热到约20摄氏度和约400摄氏度之间的温度。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在真空交换腔室中加热该被处理的衬底后，在该真空交换腔室中冷却该被处理的衬底；和

从该真空交换腔室中移走被冷却的衬底。

9.根据权利要求1所述的方法，其中处理衬底进一步包括：使用HBr、Cl₂和CF₄中至少一种来处理衬底。

10.根据权利要求1所述的方法，其中从被处理的衬底去除挥发性残余物还包括：

将真空交换腔室的压力保持在约10Torr和约5000Torr之间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中供给该真空交换腔室的气体混合物包括O₂和O₃至少其一。

12.根据权利要求1所述的方法，其中该挥发性残余物是含卤素的残余物。

13.一种从衬底去除含卤素残余物的方法，包括：

用包括卤素的化学物质在处理系统的处理室中处理衬底；

将被处理的衬底从处理室通过传送室传送到处理系统的真空交换腔室，其中该真空交换腔室配置成将衬底从处理系统内部的真空环境传送到处理系统外部的大气环境；

加热该被处理的衬底；和

在气体混合物存在下，从被加热的衬底去除挥发性残余物，所述气体混合物具有选自O₂、O₃、烷类、烯烃、N₂和H₂组成组的一或多个成员。

14.根据权利要求13的所述方法，其中加热进一步包括：通过加热设在传送室中的机械手臂叶片上的衬底，或者加热真空交换腔室中的衬底来加热该衬底。

15.根据权利要求13的所述方法，其中该气体混合物包括O₂和O₃至少其一。

16.根据权利要求14的所述方法，其中加热衬底进一步包括：传感经过该衬底的信号变化同时加热该衬底。

17.根据权利要求16的所述方法，进一步包括：测定与该信号变化相关的衬底温度。

18.根据权利要求13的所述方法，其中挥发性残余物是含卤素的残余物。

19.根据权利要求13所述的方法，其中从被加热的衬底去除挥发性残余物进一步包括：从该气体混合物形成等离子体。

20.根据权利要求13所述的方法，其中处理衬底进一步包括：使用HBr、Cl₂和CF₄中至少一种来处理衬底。