[发明专利]高功率全光纤结构宽带超荧光光源

权利要求书

1.一种高功率全光纤结构宽带超荧光光源，包括宽带超荧光种子源和光纤功率放大器两部分；其特征在于：第一多模半导体激光器(1)连接(2+1)x1泵浦合束器(2)的泵浦输入端；(2+1)x1泵浦合束器(2)的公共端连接第一掺杂光纤(3)的一端；第一掺杂光纤(3)的另一端切成8°角；(2+1)x1泵浦合束器(2)的信号端连接隔离器(4)；隔离器(4)的另一端连接第一泵浦光剥离器(10)，第一多模半导体激光器(1)、(2+1)x1泵浦合束器(2)、第一掺杂光纤(3)、隔离器(4)以及第一泵浦光剥离器(10)一起构成宽带超荧光种子源；

第一(n+1)x1泵浦合束器(6)的泵浦输入端连接第二多模半导体激光器(5)；第一(n+1)x1泵浦合束器(6)的信号端连接第一泵浦光剥离器(10)的另一端；第一(n+1)x1泵浦合束器(6)的公共端连接第二掺杂光纤(7)的一端；第二掺杂光纤(7)的另一端连接第二(n+1)x1泵浦合束器(9)的公共端；第二(n+1)x1泵浦合束器(9)的泵浦输入端连接第三多模半导体激光器(8)；第二(n+1)x1泵浦合束器(9)的信号端连接第二泵浦光剥离器(11)的一端；第二泵浦光剥离器(11)的另一端连接光纤端帽(12)；第二多模半导体激光器(5)、第一(n+1)x1泵浦合束器(6)、第二掺杂光纤(7)、第二(n+1)x1泵浦合束器(9)、第三多模半导体激光器(8)、第二泵浦光剥离器(11)以及光纤端帽(12)一起构成光纤功率放大器。

2.根据权利要求1所述的一种高功率全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于：所述的第一(n+1)x1泵浦合束器(6)、第二(n+1)x1泵浦合束器(9)的泵浦输入端为n，1≤n≤200。

3.根据权利要求1所述的一种高功率全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于：所述的第一多模半导体激光器(1)、第二多模半导体激光器(5)、第三多模半导体激光器(8)的中心波长为λ，700nm≤λ≤1000nm。

4.根据权利要求1所述的一种高功率全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于：所述的第一掺杂光纤(3)、第二掺杂光纤(7)为掺稀土元素中的一种或多种掺杂的单模光纤或多模大芯径光纤或光子晶体光纤。

5.根据权利要求1所述的一种高功率全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于：所述的(2+1)x1泵浦合束器(2)、第一掺杂光纤(3)、隔离器(4)、第一(n+1)x1泵浦合束器(6)、第二接掺杂光纤(7)、第二(n+1)x1泵浦合束器(9)为保偏型或非保偏型。

6.根据权利要求1所述的一种高功率全光纤结构宽带超荧光光源，其特征在于：所述的第一掺杂光纤(3)的长度为L米，第一掺杂光纤(3)对泵浦光的吸收率为a dR/米，其中10≤aL≤1000。