[发明专利]宽带低噪声传感器放大电路有效
申请号: | 201110160292.1 | 申请日: | 2011-06-07 |
公开(公告)号: | CN102437823A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 高桥昌义;中条德男;幕内雅巳 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/26 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宽带 噪声 传感器 放大 电路 | ||
1.一种电路,包括:
传感器,其具有电容值和输出端;
放大器,其具有连接到所述传感器的所述输出端的输入端;和
负电容电路,其与所述传感器的所述输出端并联电连接。
2.如权利要求1所述的电路,其中,所述负电容电路包括:具有输入端和输出端的第二放大器以及具有第一和第二引线的电容器,
所述第二放大器的所述输入端连接到所述传感器的所述输出端,所述传感器的所述输出端连接到所述电容器的所述第一引线,并且所述电容器的所述第二引线连接到所述传感器的所述输出端。
3.如权利要求2所述的电路,其中,所述第二放大器包括可变增益放大器。
4.如权利要求1所述的电路,其中,所述负电容的值小于所述传感器的电容值。
5.如权利要求4所述的电路,其中,所述负电容的值基本上是所述传感器的电容值的一半。
6.如权利要求1所述的电路,其中,所述负电容电路包括:
各自具有基极、发射极和集电极的第一和第二晶体管,其中,所述第一晶体管的所述集电极连接到所述传感器的所述输出端且所述第一晶体管的所述发射极连接到第一电流源,并且所述第二晶体管的所述集电极连接到地电压电平且所述第二晶体管的所述发射极连接到第二电流源,
电连接在所述晶体管的所述发射极之间的电容器,
连接到所述传感器的所述输出端的第三电流源,
第二放大器,其具有连接到所述传感器的所述输出端的同相输入端、连接到地电平的反相输入端、连接到所述第一晶体管的所述基极的同相输出端、以及连接到所述第二晶体管的所述基极的反相输出端。
7.如权利要求6所述的电路,其中,所述第二放大器包括可变增益放大器。
8.如权利要求6所述的电路,其中,所述第二放大器包括差分可变增益放大器。
9.如权利要求6所述的电路,其中,所述负电容的值小于所述传感器的电容值。
10.如权利要求9所述的电路,其中,所述负电容的值基本上是所述传感器的电容值的一半。
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