[发明专利]一种改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法无效

专利信息
申请号: 201110160326.7 申请日: 2011-06-15
公开(公告)号: CN102420144A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 谢欣云;陈玉文 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 栅极 工艺 电介质 nmos hci 方法
【权利要求书】:

1.一种改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,包括以下步骤:

于一衬底上依次淀积第一介质层和第一金属层以制备第一类半导体器件,选择性刻蚀所述第一金属层和所述第一介质层;依次淀积第二介质层和第二金属层以制备第二类半导体器件,选择性刻蚀所述第二金属层和所述第二介质层;淀积多晶硅层,刻蚀所述多晶硅层、所述第一、二金属层和所述第一、二介质层形成所述第一类半导体器件和所述第二类半导体器件的多晶硅栅;

其中,在进行源漏极离子注入热处理之前,注入氟离子于所述第一类半导体器件区域。

2.如权利要求1所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,所述氟离子采用离子注入工艺进行氟离子注入。

3.如权利要求1所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,在所述多晶硅栅形成之后,进行源漏极离子注入热处理工艺之前进行所述氟离子注入工艺。

4.如权利要求1所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,所述氟离子的注入能量范围是1KeV至20KeV。

5.如权利要求1所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,所述氟离子注入剂量范围是1E14/cm2 至3 E15/cm2

6.如权利要求1所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,所述第一类半导体器件为NMOS,所述第二类半导体器件为PMOS。

7.如权利要求1所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,所述衬底上设置有一隔离槽,所述隔离槽两边分别为P衬底和N衬底。

8.如权利要求7所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,所述选择性刻蚀所述第一金属层,刻蚀去除所述N衬底上的所述第一金属层。

9.如权利要求7所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,所述选择性刻蚀所述第二金属层,刻蚀去除所述P衬底上的所述第二金属层。

10.如权利要求1所述的改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS HCI方法,其特征在于,所述第一、二介质层材质为高介电常数材料。

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