[发明专利]一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法

权利要求书

1.一种超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

于一硅片上依次淀积介电阻挡层、第一介电层和介电硬掩膜，刻蚀所述介电硬掩膜，形成通孔形介电硬掩膜开口；

依次淀积第二介电层和金属硬掩膜于所述第一介电层上，刻蚀所述金属硬掩膜，形成沟槽形金属硬掩膜开口；

以金属硬掩膜为掩膜刻蚀所述第二介电层，形成沟槽；以介电硬掩膜为掩膜刻蚀所述第一层介电层和所述介电阻挡层，形成通孔；

依次淀积金属阻挡层和铜籽晶层，电镀铜以填满所述通孔和所述沟槽；最后采用化学机械研磨工艺进行平坦化处理。

2.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，采用化学气相工艺淀积SiO₂形成所述第一介电层和所述第二介电层。

3.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，采用化学气相工艺淀积SiN、SiC、SiCN形成所述介电阻挡层和所述介电硬掩膜。

4.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，采用物理气相工艺或化学气相工艺淀积TaN、Ta、TiN、Ti形成所述金属硬掩膜。

5.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，所述第二介电层厚度至少为3um。

6.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，所述光刻工艺和所述刻蚀工艺采用高选择比配方。

7.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。

8.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，刻蚀所述第二介电层先进行部分刻蚀，然后继续采用刻蚀工艺以形成所述沟槽。

9.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，刻蚀所述第一介电层和所述介电阻挡层时，先进行所述第一介电层刻蚀，然后继续刻蚀所述介电阻挡层以形成所述通孔。

10.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，刻蚀所述第二介电层、所述第一介电层和所述介电阻挡层采用一步刻蚀工艺或分步刻蚀工艺。

11.如权利要求10所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，所述分步刻蚀工艺中优选的添加湿法清洗工艺。

12.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，所述金属硬掩膜比所述介电硬掩膜的选择比高。

13.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，所述介电硬掩膜采用高刻蚀选择比介电材料。

14.如权利要求1所述的超厚顶层金属的双大马士革工艺制作方法，其特征在于，淀积TaN或Ta形成所述金属阻挡层。