[发明专利]栅极介电层的制作方法无效
| 申请号： | 201110160407.7 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102760655A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 介电层 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种栅极介电层的制作方法，该栅极介电层包括一氮化物层与一氧化物层，其特征在于，该栅极介电层的制作方法包括：
提供一基底；
进行一氮化处理，以于该基底上形成该氮化物层；以及
在形成该氮化物层之后，进行一氧化处理，以于该氮化物层与该基底之间形成该氧化物层。
2.根据权利要求1所述的栅极介电层的制作方法，其特征在于该栅极介电层中的氮含量高于25％。
3.根据权利要求1所述的栅极介电层的制作方法，其特征在于该氮化处理包括进行去耦电浆氮化制程。
4.根据权利要求1所述的栅极介电层的制作方法，其特征在于该氧化处理包括进行原位蒸气产生制程。
5.根据权利要求1所述的栅极介电层的制作方法，其特征在于该氮化物层的厚度小于10··。
6.根据权利要求1所述的栅极介电层的制作方法，其特征在于该氧化物层的厚度小于25··。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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