[发明专利]悬喷式MOCVD反应器有效

专利信息
申请号: 201110160623.1 申请日: 2011-06-15
公开(公告)号: CN102234792A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 颜秀文;李加军;贾京英 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C30B25/16
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 马强
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 悬喷式 mocvd 反应器
【权利要求书】:

1.一种悬喷式MOCVD反应器,包括喷嘴(1)、基座(19)、盖板(11)、导流孔(18)和反应区(2),其特征在于,所述喷嘴(1)置于基座(19)中心,喷嘴包括上喷嘴(7)和下喷嘴(8),下喷嘴(8)位于上喷嘴(7)下部,且上喷嘴和下喷嘴分别设有两个径向通道;所述基座(19)包括大石墨盘(3),所述大石墨盘(3)内沿圆周方向设有小石墨盘(4),各小石墨盘(4)内沿圆周方向设有晶片衬底(6),大石墨盘(3)底部设有公转驱动机构(20),各小石墨盘(4)底部设有自转驱动机构(22);反应区腔体内壁沿圆周方向设有导流孔(18)。

2.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述下喷嘴(8)顶端设有导向器,上喷嘴(7)上部为上载气通道(14),上喷嘴(7)下部为V族源通道(15),下喷嘴(8)上部为I I I族源通道(16),下喷嘴(8)下部为下载气通道(17)。

3.根据权利要求2所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述上载气通道(14)为水平方向。

4.根据权利要求2所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述V族源通道(15)为水平方向。

5.根据权利要求2所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述III族源通道(16)为斜向上方向。

6.根据权利要求2所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述下载气通道(17)为水平方向。

7.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述公转驱动机构(20)包括驱动电机,由驱动电机带动基座(19)底部空心轴转动。

8.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述自转驱动机构(22)包括电机,并在小石墨盘(4)外侧设有行星齿轮(21),由电机(21)驱动行星齿轮(21),进而带动小石墨盘(4)转动。

9.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述反应器的高度H为25mm-30mm。

10.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述导流孔的高度h低于盖板沿边3mm-5mm。

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