[发明专利]悬喷式MOCVD反应器有效
申请号: | 201110160623.1 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN102234792A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 颜秀文;李加军;贾京英 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C30B25/16 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 悬喷式 mocvd 反应器 | ||
1.一种悬喷式MOCVD反应器,包括喷嘴(1)、基座(19)、盖板(11)、导流孔(18)和反应区(2),其特征在于,所述喷嘴(1)置于基座(19)中心,喷嘴包括上喷嘴(7)和下喷嘴(8),下喷嘴(8)位于上喷嘴(7)下部,且上喷嘴和下喷嘴分别设有两个径向通道;所述基座(19)包括大石墨盘(3),所述大石墨盘(3)内沿圆周方向设有小石墨盘(4),各小石墨盘(4)内沿圆周方向设有晶片衬底(6),大石墨盘(3)底部设有公转驱动机构(20),各小石墨盘(4)底部设有自转驱动机构(22);反应区腔体内壁沿圆周方向设有导流孔(18)。
2.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述下喷嘴(8)顶端设有导向器,上喷嘴(7)上部为上载气通道(14),上喷嘴(7)下部为V族源通道(15),下喷嘴(8)上部为I I I族源通道(16),下喷嘴(8)下部为下载气通道(17)。
3.根据权利要求2所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述上载气通道(14)为水平方向。
4.根据权利要求2所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述V族源通道(15)为水平方向。
5.根据权利要求2所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述III族源通道(16)为斜向上方向。
6.根据权利要求2所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述下载气通道(17)为水平方向。
7.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述公转驱动机构(20)包括驱动电机,由驱动电机带动基座(19)底部空心轴转动。
8.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述自转驱动机构(22)包括电机,并在小石墨盘(4)外侧设有行星齿轮(21),由电机(21)驱动行星齿轮(21),进而带动小石墨盘(4)转动。
9.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述反应器的高度H为25mm-30mm。
10.根据权利要求1所述悬喷式MOCVD反应器,其特征是,所述导流孔的高度h低于盖板沿边3mm-5mm。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的