[发明专利]太阳能电池用化合物薄膜的制备方法

权利要求书

1.太阳能电池用化合物薄膜的制备方法，其特征在于，在密闭状态下依次经过以下步骤：

第一步、将清洗干燥后的玻璃基片装上基片架送入溅射沉积室，利用直流脉冲电源溅射CIGS四元化合物靶材，在玻璃基片上溅射沉积厚度为1.0~1.5微米非晶态或纳米晶态的CuIn_1-xGa_xSe_2-yS_y薄膜，溅射沉积时，玻璃基片的温度小于127℃，溅射气压为0.8~1.0Pa，靶材的功率密度为2.5~4.0W/cm²，沉积速率为25~60nm/min；

第二步、沉积薄膜后的玻璃基片进入电阻式热源与卤钨灯管热源形成的热场内进行退火处理，热场内H₂S+Ar或H₂Se+Ar混合气体的气压维持在20~60kPa，薄膜在电阻式热源区的退火时间为3~6min，在卤钨灯管热源区的退火时间为1~3min，退火温度维持在500~560℃的范围内；

第三步、退火处理后的沉积有薄膜的玻璃基片在H₂S+Ar的混合气体氛围下进行急速冷却，H₂S+Ar混合气体的气压维持在20~60kPa，急速冷却时间为3~5min；

第四步、急速冷却后的沉积有薄膜的玻璃基片在H₂+Ar混合气体氛围下进行低温退火处理，退火时间为15~20min，退火温度为150~200℃，H₂+Ar混合气体的气压维持在5~10kPa，低温退火处理结束后，CuIn_1-xGa_xSe_2-yS_y薄膜制备完成。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池用化合物薄膜的制备方法，其特征在于：溅射沉积薄膜时，可通入H₂Se或H₂S气体，用来稳定溅射速率。