[发明专利]铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法

权利要求书

1.铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法，其特征在于：GT多晶铸锭炉或四面加热器加顶部加热器铸锭炉中：

a铸锭炉升温熔化过程中，当TC1达到1420摄氏度及以上时，保持TC1稳定，通过打开隔热笼，控制TC2在1200～1350 摄氏度，TC2的控制时间在20～500分钟；

b第一步完成后，保持TC1稳定，通过控制隔热笼，将TC2提升到1350～1400摄氏度，第二步稳定20～500分钟；

c下降TC1至1410～1450摄氏度，进入长晶阶段。

2.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法，其特征在于：其中：

a铸锭炉升温熔化过程中，当TC1达到1440～1580摄氏度时，保持TC1稳定，通过打开隔热笼，控制TC2在1220～1350 摄氏度，TC2的控制时间在20～500分钟；

b第一步完成后，保持TC1稳定，通过控制隔热笼，将TC2提升到1355～1395摄氏度，第二步稳定20～500分钟。

3.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法，其特征在于：其中：

a铸锭炉升温熔化过程中，当TC1达到1460～1560摄氏度时，保持TC1稳定，通过打开隔热笼，控制TC2在1240～1350 摄氏度，TC2的控制时间在20～500分钟；

b第一步完成后，保持TC1稳定，通过控制隔热笼，将TC2提升到1360～1390摄氏度，第二步稳定20～500分钟。