[发明专利]铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法无效
| 申请号： | 201110160801.0 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102242394A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 石坚;熊涛涛 | 申请（专利权）人： | 安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人： | 王好勤 |
| 地址： | 456400 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铸造 生产 类似 单晶硅 锭投炉硅料 摆放 方法 | ||
【权利要求书】：
1.铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法，其特征在于：在GT或四面及顶面加热器的铸锭炉生长类似单晶过程中，a采用单块重量≤200g的硅料，在晶种之上铺0.5～60cm的厚度；b晶种之间距离≤0.1mm。
2.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法，其特征在于：硅料厚度为0.5～50cm。
3.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法，其特征在于：硅料厚度为1～20cm。
4.根据权利要求1所述的铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法，其特征在于：硅料厚度为2～10cm。
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