[发明专利]模板、其制造方法以及制造半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种包含氮化物缓冲层的模板，包括：

基底；以及

氮化物缓冲层，所述氮化物缓冲层形成在所述基底上以具有沿多条线堆叠和排列的多个空隙。

2.一种制造包含氮化物缓冲层的模板的方法，包括：

在基底上生长第一氮化物层；

通过将氯化物基刻蚀气体供给到所述第一氮化物层的顶面来刻蚀所述第一氮化物层的顶面；

通过在所述第一氮化物层的顶面上生长第二氮化物层来形成多个第一空隙；

通过将刻蚀气体供给到所述第二氮化物层的顶面来刻蚀所述第二氮化物层的顶面；以及

通过在所述第二氮化物层的顶面上生长第三氮化物层来形成多个第二空隙。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在金属有机化学气相沉积(MOCVD)装置中生长第一氮化物层和第三氮化物层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在氢化物气相外延(HVPE)装置中生长第二氮化物层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个第二空隙被布置为堆叠排列在所述多个第一空隙之上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进行刻蚀所述第二氮化物层所达到的深度比所述第二氮化物层的厚度浅。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，邻近所述第一与第二氮化物层之间的界面形成所述多个第一空隙，并且邻近所述第二与第三氮化物层之间的界面形成所述多个第二空隙。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，从所述第二氮化物层的顶面刻蚀所述第二氮化物层以与所述第一空隙相连通。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二空隙比所述第一空隙大。

10.一种利用包含氮化物缓冲层的模板来制造垂直型氮化物基半导体发光器件的方法，包括：

通过重复两次或更多次生长氮化物层的过程和刻蚀过程，在生长基底上生长具有多个空隙的氮化物缓冲层；

在所述氮化物缓冲层上生长n型氮化物层、活性层和p型氮化物层；

在所述p型氮化物层上形成导电基底；

利用形成所述多个空隙的部分作为切割表面去除所述生长基底；以及

通过处理所述切割表面形成电极极板。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，生长所述氮化物缓冲层包括：

在所述生长基底上生长第一氮化物层；

通过将刻蚀气体供给到所述第一氮化物层的顶面来刻蚀所述第一氮化物层的顶面；

通过在所述第一氮化物层的顶面上生长第二氮化物层来形成多个第一空隙；

通过将所述刻蚀气体供给到所述第二氮化物层的顶面来刻蚀所述第二氮化物层的顶面；以及

通过在所述第二氮化物层的顶面上生长第三氮化物层来形成多个第二空隙。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在MOCVD装置中生长所述第一氮化物层和第三氮化物层，以及在HVPE装置中生长所述第二氮化物层。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，通过在所述氮化物缓冲层中形成至少两行，使所述多个空隙被布置为堆叠排列。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，去除所述生长基底包括用激光照射其中形成有所述多个空隙的部分。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，去除所述生长基底包括冷却所述氮化物缓冲层，从而在其中形成有所述多个空隙的部分产生裂纹。