[发明专利]一种钕铁硼磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201110161367.8 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102360909A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王永东;黄秀莲;陈静武;吴真元;衣晓飞;熊永飞 | 申请（专利权）人： | 安徽大地熊新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;B22F3/16;B22F9/04 |
| 代理公司： | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人： | 汤茂盛 |
| 地址： | 231500 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
1.一种钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：
a、首先将氟化稀土纳米粉末加入到钕铁硼原料粉末中混合均匀；
b、然后将经过均匀混合后的粉末在磁场中取向并压制成型得到压坯；
c、接着将压坯置入真空烧结炉内做脱氢、烧结处理；
d、最后进行热处理。
2.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤a中氟化稀土为氟化铽、氟化镝、氟化镨、氟化钕中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤a中氟化稀土纳米粉末粒径为10～100纳米；所述步骤a中钕铁硼原料粉末粒径3～5微米。
4.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤a中纳米粉末的添加比例为钕铁硼原料粉末和纳米粉末总重量的1～3％。
5.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤b中磁场强度为1.5～2.5T。
6.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤c中脱氢温度为400～650℃或900～1000℃，时间为0.5～3小时，烧结温度为1050～1150℃，时间2～4小时。
7.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤d中热处理包括一、二级，其中一级热处理温度850～950℃，保温1～3小时；第二级热处理温度500～650℃，保温1～3小时。
8.根据权利要求1所述的一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤a中钕铁硼原料粉末是通过将钕铁硼速凝薄片用氢爆法破碎并通过气流磨粉碎得到。
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