[发明专利]一种超薄敏感梁压阻加速度传感器无效
| 申请号： | 201110161489.7 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102331513A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 揣荣岩;王健;刘本伟;孙洪林;孙显龙 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B81B3/00 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 敏感 梁压阻 加速度 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种超薄敏感梁压阻加速度传感器，其特征在于：主要由硅基框架（1）、质量块（2）、主梁（3）和微梁（4）构成，质量块（2）设置在硅基框架（1）中间，硅基框架（1）通过主梁（3）和微梁（4）与质量块（2）相连接；在所述质量块（2）的两侧设置有互相对称的微梁（4），微梁（4）上设有应变电阻（5）；在质量块（2）的无微梁两侧四个角部、或四个角部和中部设置有对称的主梁（3），主梁（3）一端连接质量块（2），另一端连接硅基框架（1）。
2.根据权利要求1所述的一种超薄敏感梁压阻加速度传感器，其特征在于：所述主梁（3）设置为两对或多对。
3.根据权利要求1所述的一种超薄敏感梁压阻加速度传感器，其特征在于：所述微梁（4）设置为一对或者多对。
4.根据权利要求1所述的一种超薄敏感梁压阻加速度传感器，其特征在于：所述应变电阻（5）为多晶硅纳米薄膜应变电阻，采用重掺杂多晶硅纳米薄膜，掺杂浓度为2～4×1020 cm-3。
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