[发明专利]对内浴槽构造进行了改进的双浴槽降温法育晶装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对内浴槽构造进行了改进的双浴槽降温法育晶装置，属于C30B单晶生长领域。

背景技术

降温法育晶装置是从溶液中培育单晶的一类重要装置，在张克从等编著的“晶体生长科学与技术”(第二版，上册)第204页至208页对各类降温法育晶装置有详细的介绍，该书由科学出版社于1997年出版，在各类降温法育晶装置中，双浴槽降温法育晶装置具有突出的优点，在上述专著的第206页的图3.20中展示了双浴槽降温法育晶装置的构造，该装置的结构可以扼要地描述如下：该装置主要结构包括桶状育晶器，以及，与桶状育晶器外壁贴合装设的内浴槽，以及，与内浴槽外壁贴合装设的外浴槽，在外浴槽的外壁上开设有冷却水输入接口以及冷却水输出接口。该育晶装置中的桶状育晶器是单晶培育区。

在该育晶装置外浴槽接通冷却水的情形下，能够基本消除室温波动的影响，这种装置能满足培育高完整性单晶的需要。

如果我们仔细观察该双浴槽降温法育晶装置的结构，就可以清楚地了解到，夹在育晶桶与外浴槽之间的内浴槽，其断面呈圆环形，现有技术中的装设于该内浴槽中的搅拌器均为叶片式搅拌器，该叶片式搅拌器对于这样一种其横断面呈圆环形的内浴槽结构而言，很明显，它的搅拌方式与内浴槽的特殊结构无法相适应，因而，它的搅拌效能无法得以充分施展，换句话说，基于内浴槽的特殊构造形态，内浴槽里装设的叶片式搅拌器，其搅拌方式，不利于有效地激起内浴槽中的液体的整体性的快速、充分的流动、拌和，由此，可能影响双浴槽降温法育晶装置的实际效能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，针对上述的现有搅拌方式与所述内浴槽结构不能充分适应的技术问题，研发一种有助于解决该问题的新型的双浴槽降温法育晶装置。

本发明通过如下方案解决所述技术问题，该方案提供一种对内浴槽构造进行了改进的双浴槽降温法育晶装置，该装置包括桶状育晶器，以及，与桶状育晶器外壁贴合装设的内浴槽，以及，与内浴槽外壁贴合装设的外浴槽，在外浴槽的外壁上开设有冷却水输入接口以及冷却水输出接口，在内浴槽位置装设有搅拌器，本案要点是，该搅拌器是射流式搅拌器，该射流式搅拌器的结构包括一台自吸泵，以及，射流组件，该自吸泵的出水接口与射流组件联通，该射流组件是具有喷射口的管状物，该自吸泵的进水接口与集流组件联通，该集流组件是具有流体收集口的管状物，所述流体收集口上装设有过滤网，所述射流组件的喷射口以及所述集流组件的流体收集口均架设在所述内浴槽的内部。

所述自吸泵一词，其本身的技术含义是公知的。

所述喷射口的形状可以是任何选定的形状，所述喷射口的形状例如圆形、方形、矩形、椭圆形、锯齿形，等等，优选的喷射口的形状是呈扁平形状。

所述喷射口的数量不限，所述喷射口的数量可以是一个、两个、三个、四个、五个，等等，也可以多至数十个，等等。

所述喷射口的朝向可以是任何设定的方向；所述喷射口的优选朝向是平行于水平面。

当所述喷射口的数量在一个以上时，各个喷射口的朝向既可以相同，也可以各不相同，也就是说，该情形下，允许各个喷射口分别朝向不同的方向。

所述流体收集口的数量不限，所述流体收集口的数量可以是一个、两个、三个、四个、五个，等等，也可以多至数十个，等等。

本案装置的结构，还可以包括与自吸泵相连接的电源线，以及，与该电源线相连接的电源开关。

本案的装置结构，也可以包括与所述自吸泵装设在一起的调速构件。所述自吸泵以及所述调速构件市场有售，或可改装使用。

本案装置的结构，无疑也可以包括装设在所述流体收集口附近位置的测温探头。

所述喷射口的朝向可以是任何的方向，但是，为达成最有利的搅拌效果，优选的方案是，所述喷射口的朝向与该喷射口装设位置的内浴槽圆周切线方向相互平行或相互之间形成一个小于60度的夹角。

所述流体收集口的朝向可以是任何的方向，但是，基于实现良好搅拌效果的考虑，优选的方案是，所述流体收集口的朝向与该流体收集口装设位置的内浴槽圆周切线方向相互平行或相互之间形成一个小于60度的夹角。

本案装置的结构，自然可以包括与所述测温探头以及所述电热元件联接的全自动温度控制开关或全自动温度控制器。所述全自动温度控制开关或全自动温度控制器其本身的技术含义是公知的。所述全自动温度控制开关或全自动温度控制器市场有售。