[发明专利]有机发光显示器及其制造方法有效
申请号: | 201110162186.7 | 申请日: | 2011-06-13 |
公开(公告)号: | CN102280467A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 林基主 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L29/417;H01L21/77 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示器,所述有机发光显示器包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的有机发光器件,所述薄膜晶体管包括:
栅极;
有源层,与栅极电绝缘;
源极和漏极,与栅极电绝缘,并且接触有源层;
绝缘层,形成在源极和有源层之间以及漏极和有源层之间,
其中,源极包括彼此分开的第一源极和第二源极以及电连接第一源极和第二源极的第三源极,其中,漏极包括彼此分开的第一漏极和第二漏极以及电连接第一漏极和第二漏极的第三漏极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,第一源极和第一漏极基本上形成在有源层的正上方。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,第一源极和第二源极以及第一漏极和第二漏极基本不形成在栅极的边缘的正上方。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,第二源极和第二漏极基本上形成为平坦的,并且基本上与栅极平行。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,第三源极包括基本上位于栅极的第一边缘正上方的第一部分,其中,第三漏极包括基本上位于栅极的与第一边缘相对的第二边缘正上方的第二部分,其中,第三源极的第一部分和第三漏极的第二部分基本上与栅极平行。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,所述绝缘层具有平坦部分和非平坦部分,其中,至少部分第一源极、至少部分第一漏极以及第二源极和第二漏极形成在所述绝缘层的平坦部分上,其中,至少部分第三源极和至少部分第三漏极基本形成在所述绝缘层的所述非平坦部分正上方。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示器,所述有机发光显示器还包括形成在薄膜晶体管和有机发光器件之间的钝化层,以覆盖源极和漏极。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,有机发光器件包括电连接到薄膜晶体管的电极,其中,所述电极、第三源极和第三漏极由相同的材料形成并且彼此分开,所述电极的一部分、第三源极的一部分和第三漏极的一部分形成在与栅极基本平行的同一面中。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示器,其中,第三源极和第三漏极由下列材料中的至少一种形成:氧化铟锡、氧化铟锌和氧化锌。
10.一种制造有机发光显示器的方法,所述方法包括以下步骤:
在基底上形成栅极;
在基底上形成栅极绝缘层,以覆盖栅极;
在栅极绝缘层上形成有源层;
形成绝缘层,以至少覆盖有源层的沟道区;
在绝缘层上形成源极和漏极,以接触有源层;
形成有机发光器件,有机发光器件电连接到源极和漏极之一,
其中,形成源极和漏极的步骤包括:
形成彼此分开的第一源极和第二源极;
形成第三源极,以电连接第一源极和第二源极;
形成彼此分开的第一漏极和第二漏极;
形成第三漏极,以电连接第一漏极和第二漏极。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,第一源极和第一漏极基本上形成在有源层正上方并且接触有源层。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,第一源极和第二源极以及第一漏极和第二漏极基本上不形成在栅极的边缘的正上方。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,第二源极和第二漏极基本上形成为平坦的,并且基本上与栅极平行。
14.根据权利要求10所述的方法,其中,所述绝缘层具有平坦部分和非平坦部分,其中,至少部分第一源极、至少部分第一漏极以及第二源极和第二漏极形成在所述绝缘层的平坦部分上,其中,至少部分第三源极和至少部分第三漏极基本形成在所述绝缘层的所述非平坦部分正上方。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,有机发光器件包括电连接到薄膜晶体管的电极,其中,所述电极、第三源极和第三漏极由相同的材料形成并且彼此分开,所述电极的一部分、第三源极的一部分和第三漏极的一部分形成在与栅极基本平行的同一面中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的