[发明专利]降低CCD暗电流的CCD单元结构无效
| 申请号： | 201110162247.X | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102263130A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 汪朝敏;翁雪涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/768 | 分类号： | H01L29/768;H01L29/10;H01L27/148 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 ccd 电流 单元 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低CCD暗电流的CCD单元结构，包括由顺次排列的多个多晶硅电极（5）组成的CCD单元，与CCD单元对应的埋沟信道（6），其特征在于：埋沟信道（6）由第一埋沟信道（6-1）和第二埋沟信道（6-2）组成，第二埋沟信道（6-2）的掺杂浓度低于第一埋沟信道（6-1）的掺杂浓度，第二埋沟信道（6-2）的位置正对其中一个多晶硅电极（5）设置，第一埋沟信道（6-1）的位置与其余的多晶硅电极（5）相对，第二埋沟信道（6-2）的宽度与一个多晶硅电极（5）的宽度相同。
2.根据权利要求1所述的降低CCD暗电流的CCD结构，其特征在于：所述CCD单元有多个，多个CCD单元成列设置；每个CCD单元对应一个第二埋沟信道（6-2），相邻两个第二埋沟信道（6-2）的间隔距离相同。
3.根据权利要求1或2所述的降低CCD暗电流的CCD结构，其特征在于：第一埋沟信道（6-1）的掺杂浓度为3.0×1016/cm3；第二埋沟信道（6-2）的掺杂浓度为1.0×1016/cm3。
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