[发明专利]侧面可浸润半导体器件有效
申请号: | 201110162405.1 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN102789994A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 王金全 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/60;H01L23/495 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 刘光明;穆德骏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧面 浸润 半导体器件 | ||
1.一种装配侧面可浸润半导体器件的方法,包括:
提供引线框架或基板面板;
采用第一切割工具至少部分地底切引线框架或基板面板,以暴露所述引线框架的侧面;以及
在将引线框架或基板面板切单为单个半导体器件前,向所述暴露的侧面施加锡或锡合金的涂敷。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在施加所述锡或锡合金的涂敷前,电气互连与相邻半导体器件关联的引线框架侧面。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述引线框架侧面在丝线键合步骤中由丝线电气互连。
4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括将所述基板面板切单为所述单个半导体器件,其中所述切单包括用第二切割工具切割所述基板面板以将所述面板分离为所述单个半导体器件。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第二切割工具比所述第一切割工具窄。
6.根据权利要求1所述的方法,其中通过电镀或者电沉积执行所述锡涂敷。
7.一种根据权利要求1所述的方法装配的QFN半导体器件。
8.一种侧面可浸润QFN半导体器件,包括:
包括多个引脚的引线框架;
被多个引脚围绕的半导体管芯,其中引脚电连接到管芯的管芯键合焊盘;
模制化合物,所述模制化合物包封管芯、引脚和电连接,其中引脚的末端沿着器件的侧壁暴露;以及
位于引脚的暴露部分上的锡或者锡合金的涂敷。
9.根据权利要求8所述的侧面可浸润半导体器件,其中,在装配中,在将所述器件与相邻器件分离之前,通过电镀或者电沉积将所述涂敷施加到引脚的暴露部分。
10.根据权利要求9所述的侧面可浸润半导体器件,其中,在装配中,电连接相邻器件的相邻引脚,使得当所述涂敷被施加到引脚时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造