[发明专利]提高光纤自聚焦阈值功率的方法及光纤有效
申请号: | 201110162464.9 | 申请日: | 2011-06-16 |
公开(公告)号: | CN102289031A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 张海涛;巩马理;黄志华;阎平;柳强;黄磊;刘明;郑超 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02;G02B6/036 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 光纤 自聚焦 阈值 功率 方法 | ||
1.一种提高光纤自聚焦阈值功率的方法,其特征在于,包括:使光纤的掺杂纤芯(3)的掺杂浓度由中心向外递增。
2.如权利要求1所述的提高光纤自聚焦阈值功率的方法,其特征在于,所述掺杂纤芯的掺杂浓度的高低与折射率的大小成正比。
3.如权利要求1所述的提高光纤自聚焦阈值功率的方法,其特征在于,所述掺杂纤芯的掺杂离子为稀土离子。
4.如权利要求1所述的提高光纤自聚焦阈值功率的方法,其特征在于,所述掺杂纤芯的掺杂离子分布方式为渐变曲线型。
5.如权利要求1所述的提高光纤自聚焦阈值功率的方法,其特征在于,所述渐变曲线型包括:抛物线型、高斯型或者双曲正割线型。
6.如权利要求1所述的提高光纤自聚焦阈值功率的方法,其特征在于,所述掺杂纤芯的掺杂离子分布方式为三角型。
7.如权利要求1所述的提高光纤自聚焦阈值功率的方法,其特征在于,所述掺杂纤芯的掺杂离子分布方式为多级阶跃型。
8.一种利用权利要求1~7中任一项所述方法制造的光纤,其特征在于,所述光纤包括外包层(1)、内包层(2)和掺杂纤芯(3),掺杂纤芯(3)的掺杂浓度由中心向外递增。
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