[发明专利]具有快速写入特性的相变存储装置

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包含：

在一衬底上的多个存储单元包含一可编程阻抗存储材料；以及

一控制器经配置以施加偏压操作至这些存储单元中的目标存储单元，与其中对该目标存储单元的该偏压操作造成该目标存储单元具有所选择的操作特性，以及根据该所选择的操作特性以施加一写入程序至该目标存储单元。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该偏压操作包括一迭代预应力操作其包括施加一预应力电流脉冲至目标存储单元，在施加该预应力电流脉冲至一特定存储单元后，确定该特定存储单元的设定速度是否达到一目标速度，与如果否，则施加另一预应力电流脉冲至该特定存储单元。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该偏压操作包括当执行该施加另一预应力电流脉冲步骤时，使用具有超过在一前次迭代中所使用脉冲长度与脉冲高度其中至少之一的一改变值的一预应力电流脉冲。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，这些存储单元包括排列在一阵列中的第一与第二组存储单元，该第一组存储单元在该阵列中的一第一位置处，该第二组存储单元在该阵列中的一第二位置处，以及其中该偏压电路是可控制的以施加不同偏压操作至该第一与第二组存储单元，与以施加不同写入程序至该第一与第二组存储单元。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在该第一组存储单元中的该可编程阻抗存储材料包含具有一基础化学计量数的一所选择的介电掺杂硫属化物，以及在该第二组存储单元中的该可编程阻抗存储材料包含该所选择的介电掺杂硫属化物。

6.一种包含在一衬底上的多个存储单元的集成电路，其特征在于，这些存储单元包含：

包含一可编程阻抗存储材料的一第一组存储单元；

包含经由一电性预应力操作修改的该可编程阻抗存储材料的一第二组存储单元，该第一与第二组存储单元具有不同设定速度；以及

一偏压电路经调试以施加设定操作至多个存储单元中的目标存储单元，与其中对在该第二组中的目标存储单元的该设定操作包括具有比对在该第一组中的该目标存储单元的该设定操作更短延时的一设定脉冲。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所施加至该第二组存储单元的该设定操作包括施加一较低能量设定脉冲，以及所施加至该第一组存储单元的该设定操作包括施加一较高能量设定脉冲。

8.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，该第一与第二组存储单元是排列在一阵列中，该第一组存储单元在该阵列中的一第一位置处，该第二组存储单元在该阵列中的一第二位置处。

9.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，这些存储单元还包含一第三组存储单元，该第三组存储单元经由一不同于施加至该第二组存储单元的该电性预应力的电性预应力所修改。

10.根据权利要求6所述的集成电路，其特征在于，该电性预应力操作包括一迭代预应力操作其包括施加一预应力电流脉冲至该第二组存储单元中的存储单元，在施加该预应力电流脉冲至一特定存储单元后，确定该特定存储单元的设定速度是否达到一目标速度，与如果否，则施加另一预应力电流脉冲至该特定存储单元。