[发明专利]绝缘栅型硅光伏电源组件

权利要求书

1.一种绝缘栅型硅光伏电源组件，包括绝缘栅型硅光伏电池，所述的绝缘栅型硅光伏电池是由p型半导体、n型半导体及两者之间的pn结组成的单晶硅或多晶硅光伏电池，在光伏电池的光辐射面与背面分别设有表面电极和背面电极，其特征是，在所述的绝缘栅型硅光伏电池的n型半导体光辐射面的上面依次设有透明减反绝缘膜、透明导电膜；n型半导体光辐射面、透明减反绝缘膜和透明导电膜之间构成一个绝缘栅结，透明导电膜为控制栅级；所述p型半导体背面电极为正电极，N型半导体栅型表面电极为负电极；所述透明导电膜与p型半导体背面电极之间设有外加电场电压源V1，外加电场电压源V1正电极连接控制栅级，负电极连接p型半导体背面电极。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅型硅光伏电源组件，其特征是，所述绝缘栅结膜厚度≤0.1μm，绝缘栅结膜是采用SiO2或SiN的减反绝缘膜；所述绝缘栅型硅光伏电池的p型半导体背面电极与该透明导电膜之间设有外加电压源V1，电源V1可以是一定频率的直流方波或是直流的电压源。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅型硅光伏电源组件，其特征是，所述绝缘栅型硅光伏电源组件由多个绝缘栅型硅光伏电池串联与每个绝缘栅型硅光伏电池控制栅级之间有电阻R连接，最后一个绝缘栅型硅光伏电池的控制栅级与背面电极有电阻R连接；第一个绝缘栅型硅光伏电池的控制栅级，为绝缘栅型硅光伏电池组件的控制栅级，绝缘栅型硅光伏电池组件的正、负电极是绝缘栅型硅光伏电池组件中最后电池的背面电极与第一个电池栅极表面电极；电场电源V1采用V1≥nV的直流方波电场电源或直流电源，n是绝缘栅型硅光伏电池串联的个数，V是单片绝缘栅型硅光伏电池零偏时的开路电压；电场电源V1正电极连接绝缘栅型硅光伏电池组件的控制栅级，负电极连接绝缘栅型硅光伏电池组件的正电极。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅型硅光伏电源组件，其特征在于，所述绝缘栅型硅光伏电源组件由一对奇、偶绝缘栅型硅光伏电池组与电场电源V1及电路组成，其中奇、偶绝缘栅型硅光伏电池组是两列相互独立而相同片数的绝缘栅型硅光伏电池进行串联；V1电场电源采用V1≥nV的直流方波电场电源，n为相互独立两列串联的绝缘栅型硅光伏电池片个数，V是单片绝缘栅型硅光伏电池零偏时的开路电压；绝缘栅型硅光伏电源组件由多个绝缘栅型硅光伏电池串联与每个绝缘栅型硅光伏电池控制栅级之间有电阻R连接，最后一个绝缘栅型硅光伏电池的控制栅级与背面电极有电阻R连接；奇、偶绝缘栅型硅光伏电池组对输出正极分别连接I GBT1、I GBT2绝缘栅双极型晶体管的集电极(C)，GBT1、IGBT2绝缘栅双极型晶体管的发射极(E)相连，并共同接参考地e；奇、偶绝缘栅型硅光伏电池组对的负极，分别连接变压器T初级的a、b端，初级的中端接参考地e；V1电场电源负电极连接参考地e，正电极连接IC1、IC3驱动器与IC2、IC4反相驱动器的输入端，IC1、IC3驱动器与IC2、IC4反相驱动器输出分别连接奇、偶绝缘栅型硅光伏电池组的透明导电膜与IGBT1、IGBT2绝缘栅双极型晶体管的控制门级(G)。