[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201110163124.8 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102231381A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 霍介光 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器，包括：
基底；
位于基底表面的层间介质层；
其特征在于，还包括：
第一导电插塞和与所述第一导电插塞相连的第一金属层，所述第一导电插塞和第一金属层均位于所述层间介质层内；
位于所述层间介质层表面的隔离层，所述隔离层内具有暴露出所述第一金属层的通孔；
填充满所述通孔的第二导电插塞；
位于所述隔离层表面、与第二导电插塞相连的第二金属层。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离层的厚度为500～2000
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二导电插塞和第二金属层的材料为热铝。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述层间介质层的厚度为3000～6000
5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述层间介质层的材料为SiO2；所述第一导电插塞和第一金属层的材料为钨；所述隔离层的材料为SiO2。
6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述基底内包括至少一个感光单元。
7.一种如权利要求1～6中的任一项所述的CMOS图像传感器的形成方法，包括：
提供基底；
在所述基底表面形成层间介质层；
其特征在于，还包括：
形成第一导电插塞和第一金属层，所述第一导电插塞和第一金属层均位于所述层间介质层内；
形成位于所述层间介质层表面的隔离层，所述隔离层内具有暴露出第一金属层的通孔；
形成填充满所述通孔的第二导电插塞；
形成位于所述隔离层表面、与第二导电插塞相连的第二金属层。
8.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为500～2000
9.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二导电插塞和第二金属层在同一工艺步骤中形成，形成所述第二导电插塞和第二金属层具体步骤为：在沉积温度为420～460℃时，向所述通孔内和隔离层表面沉积热铝；然后采用刻蚀工艺刻蚀所述热铝。
10.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述层间介质层表面形成隔离层前，还包括：平坦化所述第一金属层。
11.如权利要求7所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成工艺为高密度等离子体化学气相沉积或TEOS工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子（上海）有限公司，未经格科微电子（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110163124.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
