[发明专利]使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法，特别是一种通过调整Flash闪存空间结构而使Flash闪存代替EEPROM的方法。

背景技术

在现有的电子产品中，如显示器中，一般使用Flash闪存(Flash Memory)来存储显示器的程序，使用EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器)来存储显示器的数据。但是，由于现有的显示器所需要的程序占用空间均较小，只占用Flash闪存空间的一部分，而另外的显示器数据还需要存储在EEPROM中，故，造成了浪费。

因此，需要一种新的技术方案以解决上述问题。

发明内容

针对上述现有技术所存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法。

为实现上述目的，本发明使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法可采用如下技术方案：

一种使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法，将Flash闪存的存储空间分为程序存储空间以及数据存储空间，所述数据存储空间中包含有10个子空间。

本发明与现有技术相比：通过设置程序存储空间以及数据存储空间，使本来用EEPROM存储的数据存储至该数据存储空间中。且由于Flash闪存的每个存储空间的读写次数为10万次，数据存储空间中包含有10个子空间，从而可实现数据存储空间共100万次的读写次数，符合EEPROM 100万次的读写要求，从而充分利用Flash闪存空间以降低成本。

附图说明

图1为本发明使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法中Flash闪存的空间设计结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

本发明公开一种使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法，将Flash闪存的存储空间分为程序存储空间以及数据存储空间，所述数据存储空间中包含有10个子空间。

请参阅图1所示，为上述使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法的一种具体实施方式。该Flash闪存共有256K的存储空间，其中将216K的存储空间(包括3个64K的存储空间以及1个24K的存储空间)用以作为程序存储空间；而将剩下的40K的存储空间作为数据存储空间。其中，由于Flash闪存的每个存储空间的读写次数为10万次，故将40K的数据存储空间分割为10个容量为4K的子空间，这样整个40K数据存储空间的读写次数即可达到100万次，符合EEPROM 100万次的读写要求，故可使该40K数据存储空间代替EEPROM。

本发明与现有技术相比：通过设置程序存储空间以及数据存储空间，使本来用EEPROM存储的数据存储至该数据存储空间中。且由于Flash闪存的每个存储空间的读写次数为10万次，数据存储空间中包含有10个子空间，从而可实现数据存储空间共100万次的读写次数，符合EEPROM 100万次的读写要求。在故在电子产品，如显示器中，可使用本发明使用Flash闪存的存储空间代替EEPROM的方法使得只使用Flash闪存即可即存储程序又存储数据，无需再设置EEPROM，从而降低成本。