[发明专利]预防超低介电常数薄膜损伤的方法无效
| 申请号： | 201110163838.9 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102427053A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预防 介电常数 薄膜 损伤 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种预防超低介电常数薄膜损伤的方法，其特征在于，
步骤a：在一介电薄膜上设置一光掩膜板，所述介电薄膜内掺杂有成孔剂，光掩膜板中不透光的部分遮住的区域为互连线沟槽区域；
步骤b：对介电薄膜进行光照，以去除未被光掩膜板遮挡区域的介电薄膜内的成孔剂；
步骤c：在介电层上的互连线沟槽区域进行刻蚀以形成互连线沟槽；
步骤d：在互连线沟槽内进行铜扩散阻挡层的淀积，之后进行电镀铜工艺和化学机械研磨。
2.根据权利要求1所述的预防超低介电常数薄膜损伤的方法，其特征在于，所述介电薄膜采用的是超低介电常数薄膜。
3.根据权利要求1所述的预防超低介电常数薄膜损伤的方法，其特征在于，通过紫外光对介电薄膜进行光照。
4.根据权利要求1所述的预防超低介电常数薄膜损伤的方法，其特征在于，进行光照后介电薄膜内的成孔剂挥发，在介电薄膜内形成微孔。
5.根据权利要求1所述的预防超低介电常数薄膜损伤的方法，其特征在于，互连线沟槽区域内的成孔剂并未挥发，从而并未形成微孔，故在后续工艺中不会因为刻蚀和清洗的制程影响介电层的介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
