[发明专利]确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法有效
申请号: | 201110163890.4 | 申请日: | 2011-06-17 |
公开(公告)号: | CN102832102A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 赵妙;刘新宇;郑英奎;欧阳思华;李艳奎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G01R31/26;B07C5/344 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 场效应 老化 条件 方法 筛选 | ||
1.一种确定场效应管老化条件的方法,其特征在于,包括:
在预设老化台温度下,为场效应管输入预设的漏端电压;
改变场效应管的栅压;
检测在不同栅压下,该场效应管的直流功率以及该直流功率下场效应管的峰值结温,获得多组相对应的老化台温度、直流功率值和峰值结温;
根据所述多组相对应的老化台温度、直流功率值和峰值结温,获得该场效应管老化台温度、直流功率和峰值结温之间的关系方程式;
根据该场效应管的最高允许结温,使用所述关系方程式确定该场效应管最高允许结温所对应的老化台温度和直流功率值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述场效应管为氮化镓基高电子迁移率晶体管。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在预设老化台温度下,为场效应管输入预设的漏端电压具体为:在预设老化台温度下,使用带有抑制振荡电路的供电模块为场效应管输入预设的漏端电压。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述改变场效应管的栅压具体为:使用带有抑制振荡电路的供电模块改变场效应管的栅压。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,检测该场效应管峰值结温的方法为:使用显微红外测量器件检测该场效应管的峰值结温。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述多组相对应的老化台温度、直流功率值和峰值结温,获得该场效应管老化台温度、直流功率和峰值结温之间的关系方程式,具体为:根据所述多组相应对的老化台温度、直流功率值和峰值结温,使用Origin的数学分析软件计算获得该场效应管老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。
7.一种场效应管老化方法,其特征在于,包括:
使用权利要求1的确定场效应管老化条件的方法确定需要老化场效应管所对应的老化台温度和直流功率值;
在所述老化台温度下,为该场效应管输入漏端电压并调整所述场效应管的栅压使该场效应管的直流功率为所述直流功率值;
在预设时间段内,对所述场效应管持续老化。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述场效应管为氮化镓基高电子迁移率晶体管。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述为该场效应管输入漏端电压具体为:使用带有抑制振荡电路的供电模块为该场效应管输入漏端电压。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述调整所述场效应管的栅压具体为:使用带有抑制振荡电路的供电模块调整所述场效应管的栅压。
11.一种场效应管筛选方法,其特征在于,包括:
在预设老化台温度下,为场效应管输入预设的漏端电压;
改变场效应管的栅压;
检测在不同栅压下,该场效应管的直流功率以及该直流功率下场效应管的峰值结温,获得多组相对应的老化台温度、直流功率值和峰值结温;
根据所述多组相对应的老化台温度、直流功率值和峰值结温,获得该场效应管老化台温度、直流功率和峰值结温之间的关系方程式;
根据该场效应管的最高允许结温,使用所述关系方程式确定该场效应管最高允许结温所对应的老化台温度和直流功率值;
将该场效应管的最高允许结温和该场效应管最高允许结温对应的老化台温度和直流功率值输入公式Tj=PRth(j-c)+Tc中计算得出该场效应管的热阻,其中,Tj为场效应管的峰值结温;P为场效应管的直流功率;Rth(j-c)为场效应管在一定功率条件下的热阻;Tc为老化台温度;
当场效应管的热阻大于预设值时,该场效应管为不合格产品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造