[发明专利]快恢复二极管制造方法

权利要求书

1.一种快恢复二极管制造方法，其特征在于，包括：

提供一N+衬底和一N-衬底；

在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；

使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；

对所述N-衬底进行减薄，并在减薄后的N-衬底的表面形成P+层及第一金属层；

对所述N+衬底的背面进行减薄，并在减薄后的N+衬底的背面形成第二金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来，具体包括：

对所述FS层的表面进行抛光；

对N-衬底的一个表面进行抛光；

将FS层的抛光面与N-衬底的抛光面贴合在一起；

对上述贴合后的结构进行退火处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对上述贴合后的结构进行退火处理，具体包括：

将上述贴合后的结构置于充满氮气的腔室内保持1～3小时。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述充满氮气的腔室内的温度为1000℃～1200℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在减薄后的N-衬底的表面形成P+层，具体包括：

在所述减薄后的N-衬底的表面形成屏蔽氧化层；

通过光刻、刻蚀工艺在所述屏蔽氧化层中形成有源区；

通过离子注入工艺在所述有源区内形成P+层；

对所述P+层进行退火处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成P+层时所注入的离子为硼离子。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在减薄后的N-衬底的表面形成P+层及第一金属层之后，还包括：

在所述第一金属层上形成钝化层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述钝化层为氮化硅层。

9.根据权利要求1～8任一项所述的方法，其特征在于，所述FS层的厚度为5～10μm。

10.根据权利要求1～8任一项所述的方法，其特征在于，所述N+衬底和N-衬底分别为N+单晶硅和N-单晶硅。