[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上依次形成电介质层和伪栅极材料叠层，所述伪栅极材料叠层包括硅层和位于该硅层上的至少一个锗硅层；

图案化所述伪栅极材料叠层以形成伪栅极，并且图案化所述电介质层以形成栅极电介质层；

在伪栅极和栅极电介质层的两侧形成侧壁间隔件；

形成具有嵌入式锗硅结构的源区和漏区；

去除伪栅极以形成开口；以及

在所述开口中填充栅极材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中：

所述硅层的材料是多晶硅或单晶硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

所述伪栅极材料叠层的厚度为400埃至1000埃。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

所述硅层的厚度为50埃至500埃，所述至少一个锗硅层的总厚度为100埃至900埃。

5.如权利要求1所述的方法，其中：

在所述锗硅层中，锗的含量是空间均匀的。

6.如权利要求5所述的方法，其中：

在所述锗硅层中，锗的含量在10％(原子)至40％(原子)之间。

7.如权利要求1所述的方法，其中：

在所述锗硅层中，锗的含量从所述锗硅层的下部往上部逐渐增大。

8.如权利要求7所述的方法，其中：

在所述锗硅层中，锗的最高含量在10％(原子)至40％(原子)之间。

9.如权利要求1所述的方法，其中：

利用反应离子刻蚀或化学湿法刻蚀来去除伪栅极。

10.如权利要求1所述的方法，其中：

所述硅层和所述锗硅层是在同一个腔室中形成的。

11.如权利要求1所述的方法，其中：

所述硅层和所述锗硅层分别是在不同的腔室中形成的。

12.如权利要求1所述的方法，其中：

所述硅层是在单片式生长设备或批量式炉管中形成的，而所述锗硅层是在单片式生长设备中形成的。

13.如权利要求12所述的方法，其中：

锗硅层是在单片式生长设备中外延生长形成的，其中，在外延生长锗硅层的过程中，反应温度为600℃至1000℃，压强为1Torr至500Torr。

14.一种半导体器件，包括：

具有嵌入式锗硅结构的源区和漏区；

由硅层和位于该硅层上的至少一个锗硅层构成的栅极；以及

位于栅极两侧的侧壁间隔件。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中：

所述硅层的材料是多晶硅或单晶硅。

16.如权利要求14所述的半导体器件，其中：

所述硅层的厚度为50埃至500埃，所述至少一个锗硅层的厚度为100埃至900埃。

17.如权利要求14所述的半导体器件，其中：

在所述锗硅层中，锗的含量是空间均匀的。

18.如权利要求17所述的半导体器件，其中：

在所述锗硅层中，锗的含量在10％(原子)至40％(原子)之间。

19.如权利要求14所述的半导体器件，其中：

在所述锗硅层中，锗的含量从所述锗硅层的下部往上部逐渐增大。

20.如权利要求19所述的半导体器件，其中：

在所述锗硅层中，锗的最高含量在10％(原子)至40％(原子)之间。