[发明专利]形成自对准接触物的方法及具有自对准接触物的集成电路

权利要求书

1.一种形成自对准接触物的方法，包括：

提供基板，所述基板上具有晶体管，其中所述晶体管包括罩幕层及形成于所述罩幕层的相对侧的一对绝缘间隔物；

在所述基板上形成介电层，并覆盖所述晶体管；

移除所述介电层的部份，以露出所述晶体管的顶部；

在所述介电层与所述晶体管的所述顶部上形成阻障层；

蚀刻所述阻障层，在所述晶体管的所述一对绝缘间隔物中的一个上部边角处留下保护阻障物；

施行蚀刻程序，将所述保护阻障物与所述罩幕层用做蚀刻罩幕，进而形成露出所述晶体管的源极/汲极区的自对准接触开口以及由所述保护阻障物所覆盖的介电间隔物；以及

在所述自对准接触开口内形成导电层以接触所述晶体管的所述源极/汲极区。

2.根据权利要求1所述的形成自对准接触物的方法，其中所述罩幕层与所述一对绝缘间隔物包括氮化硅。

3.根据权利要求1或2所述的形成自对准接触物的方法，其中所述阻障层包括氮化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1或2所述的形成自对准接触物的方法，其中所述介电层包括二氧化硅、硼磷硅酸玻璃或旋涂介电材料。

5.根据权利要求1或2所述的形成自对准接触物的方法，其中所述阻障层具有约2-10奈米的厚度。

6.根据权利要求1或2所述的形成自对准接触物的方法，其中所述蚀刻程序包括过度蚀刻步骤。

7.根据权利要求1或2所述的形成自对准接触物的方法，其中所述导电层包括铝。

8.一种具有自对准接触物的集成电路，包括：

基板，所述基板上具有晶体管，所述晶体管包括罩幕层以及形成于所述罩幕层相对侧的一对绝缘间隔物；

介电间隔物，部份地覆盖至少所述晶体管的所述一对绝缘间隔物中的一个；

保护阻障物，位于所述介电间隔物上；以及

导电层，形成于所述罩幕层、所述保护阻障物、所述介电间隔物、所述绝缘间隔物及所述介电间隔物上，以做为接触所述晶体管的源极/汲极区的自对准接触物。

9.根据权利要求8所述的具有自对准接触物的集成电路，其中所述罩幕层与所述一对绝缘间隔物包括氮化硅。

10.根据权利要求8或9所述的具有自对准接触物的集成电路，其中所述保护阻障物包括氮化硅或氮氧化硅。

11.根据权利要求8或9所述的具有自对准接触物的集成电路，其中所述介电间隔物包括二氧化硅、硼磷硅酸玻璃或旋涂介电材料。

12.根据权利要求8或9所述的具有自对准接触物的集成电路，其中所述导电层包括铝。

13.根据权利要求8或9所述的具有自对准接触物的集成电路，还包括形成在所述基板上的另一介电间隔物，所述另一介电间隔物部份地覆盖另一绝缘间隔物。

14.根据权利要求13所述的具有自对准接触物的集成电路，还包括另一保护阻障层，形成于部份地覆盖所述另一绝缘间隔物的所述介电间隔物上。