[发明专利]半导体设备及其制造方法

权利要求书

1.一种形成在第一传导类型的半导体层上的半导体设备，所述半导体设备包括：

       形成在所述半导体层上的第二传导类型的第一扩散区；

       形成在所述第一扩散区中的第一传导类型的第二扩散区；

       形成在所述第二扩散区中的第二传导类型的第一高浓度扩散区和第一传导类型的第二高浓度扩散区；

       所述第一扩散区中的形成在与所述第二扩散区分隔开给定距离的位置处的第二传导类型的第三高浓度扩散区；以及

       形成在所述第一高浓度扩散区和所述第三高浓度扩散区上方并且处于二者之间的栅极电极，其间插入有栅极绝缘膜，

       其中，所述栅极电极被形成为与所述第一高浓度扩散区重叠，并且所述栅极电极在相同电位下与所述第一高浓度扩散区和所述第二高浓度扩散区电连接。

2.根据权利要求1的半导体设备，其中，所述第一高浓度扩散区、所述第三高浓度扩散区、以及提供在其间的所述栅极电极构成反向偏置MOSFET。

3.根据权利要求1的半导体设备，其中，所述栅极电极的一端与所述第三高浓度扩散区分隔开给定距离。

4.根据权利要求1的半导体设备，其中，所述第一高浓度扩散区、所述第二高浓度扩散区、以及所述栅极电极与阳极电极连接，并且所述第三高浓度扩散区与阴极电极连接。

5.根据权利要求1的半导体设备，其中，第二传导类型的第三扩散区被包括在所述第二传导类型的第一扩散区中，并且所述第三高浓度扩散区被包括在所述第三扩散区中。

6.根据权利要求1的半导体设备，其中，在所述第二传导类型的第一扩散区中包括绝缘分隔膜，所述绝缘分隔膜被形成在所述第一传导类型的第二扩散区与所述第三高浓度扩散区之间。

7.根据权利要求1的半导体设备，其中，第二传导类型的第三扩散区被包括在所述第二传导类型的第一扩散区中；所述第三高浓度扩散区和所述绝缘分隔膜被包括在所述第三扩散区中；并且所述绝缘分隔膜被形成在所述第一传导类型的第二扩散区与所述第三高浓度扩散区之间。

8.根据权利要求5或7的半导体设备，其中，所述第二扩散区和所述第三扩散区在所述栅极电极下方彼此分隔开给定距离。

9.根据权利要求7的半导体设备，其中，所述第二扩散区和所述绝缘分隔膜在所述栅极电极下方彼此分隔开给定距离。

10.根据权利要求6、7和9中的任一项的半导体设备，其中，提供给定长度的所述绝缘分隔膜，其包括所述栅极电极的更靠近所述第三高浓度扩散区的一侧的下端。

11.根据权利要求1的半导体设备，其中，通过高能注入形成的第二传导类型的隐埋扩散区被包括在所述第一传导类型的第二扩散区的底部。

12.根据权利要求1的半导体设备，其中，所述第一传导类型的半导体层是第一传导类型的半导体基板。

13.根据权利要求1的半导体设备，其中，所述第一传导类型的半导体层是第一传导类型的扩散区。

14.根据权利要求1的半导体设备，其中，所述半导体设备是高压二极管。

15.一种用于制造形成在第一传导类型的半导体层上的半导体设备的方法，所述方法包括：

       在所述半导体层上形成第二传导类型的第一扩散区的步骤；

       在所述第一扩散区中形成第一传导类型的第二扩散区的步骤；

       在所述第二扩散区中形成第二传导类型的第一高浓度扩散区和第一传导类型的第二高浓度扩散区、并且在所述第一扩散区中的与所述第二扩散区分隔开给定距离的位置处形成第二传导类型的第三高浓度扩散区的步骤；

       在所述第一高浓度扩散区和所述第三高浓度扩散区上方形成处于二者之间的栅极电极的步骤，其间插入有栅极绝缘膜，其中所述栅极电极被形成为与所述第一高浓度扩散区垂直重叠；以及

       在相同电位下将所述栅极电极与所述第一高浓度扩散区和所述第二高浓度扩散区电连接的步骤。