[发明专利]一种对石墨烯进行氧化的方法无效
申请号: | 201110165925.8 | 申请日: | 2011-06-20 |
公开(公告)号: | CN102259850A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 闵春英;沈湘黔;宋浩杰;韩朋;唐华;杨小飞;孟献丰 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 进行 氧化 方法 | ||
技术领域
本发明涉及无机碳材料结构改性技术,具体涉及一种将石墨烯进行氧化处理的方法。
背景技术
石墨烯因其二维晶体结构特殊、质量轻且比表面积大等优点,不仅拥有优异的电学性能、导热性能和机械强度,而且还具有一些独特的性能,如量子霍尔效应和量子隧穿效应等;石墨烯的重要用途之一是用于制备高性能纳米复合材料,但石墨烯既不亲水也不亲油,加之化学反应惰性阻碍了它的应用,因而促进其应用及发展的有效办法是将其进行功能化,使其可分散于某种溶液,而氧化则是功能化的前提基础;目前对石墨烯进行氧化研究方法少被提及,而对纳米碳材料功能化的主要方法为强酸氧化法和氟化法,通过在材料表面引入水溶性基团,提高其在聚合物中的分散性,这两种方法均不同程度的存在反应周期长,工艺流程繁冗,因溶剂介入而损害材料等问题,因此,开发环保型的石墨烯的氧化方法十分必要。
发明内容
为解决石墨烯的可控氧化,且目前所存在的方法反应周期长、工艺繁冗等问题,本发明提供了一种氧化石墨烯的方法,在电子束辐照下,增大石墨烯粉末中少层石墨烯的层间距离,在石墨烯中引入含氧官能团,使石墨烯材料被氧化。
本发明的技术方案是将石墨烯放入辐照源室内进行电子束辐照,辐照处理在室温和空气条件下进行,所述电子束辐照加速电压为50keV~5MeV, 束流为20μA~2mA,辐照剂量为1×105Gy~6×106Gy,由于电子束辐照能量高、穿透力强,辐照提供的能量可以在石墨烯材料内部的缺陷处产生碳自由基,碳自由基可与空气中的氧发生反应,从而在石墨烯表面及层间引入含氧基团,使得石墨烯层间间距增大并被氧化。
本发明所述的对石墨烯进行氧化处理的方法具有操作过程简单、成本低廉、绿色环保的优点,可实现工业化批量处理。
附图说明
图1是在电子束辐照300kGy的辐照剂量石墨烯辐照前后的XRD谱图中002晶面所对应的衍射峰;
(a)未辐照的石墨烯;(b)辐照后的石墨烯。
具体实施方式
实施例1:
取石墨烯粉末放入玻璃瓶中,将玻璃瓶置于电子束辐照的辐照室中,加速电压为5MeV,束流为200μA,辐照剂量为3×105Gy,辐照后取少量的石墨烯粉末进行X射线衍射(XRD)分析,辐照前后石墨烯粉末的XRD谱图如图1所示,通过XRD分析发现,经辐照后的石墨烯粉末中出现了氧化石墨烯的特征峰(对应于2θ = 12. 0o),表明石墨烯被氧化。
实施例2:
取石墨烯粉末放入玻璃瓶中,将玻璃瓶置于电子束辐照的辐照室中,加速电压为50KeV,束流为2mA,辐照剂量为6×106Gy,辐照后取少量的石墨烯粉末进行X射线衍射(XRD)分析,辐照前后石墨烯粉末的XRD谱图与图1类似,通过XRD分析发现,经辐照后的石墨烯粉末中出现了氧化石墨烯的特征峰(对应于2θ= 12. 0o),表明石墨烯被氧化。
实施例3:
取石墨烯粉末放入玻璃瓶中,将玻璃瓶置于电子束辐照的辐照室中,加速电压为200KeV,束流为1.8mA,辐照剂量为5×106Gy,辐照后取少量的石墨烯粉末进行X射线衍射(XRD)分析,辐照前后石墨烯粉末的XRD谱图与图1类似,通过XRD分析发现,经辐照后的石墨烯粉末中出现了氧化石墨烯的特征峰(对应于2θ= 12. 0o),表明石墨烯被氧化。
实施例4:
取石墨烯粉末放入玻璃瓶中,将玻璃瓶置于电子束辐照的辐照室中,加速电压为500KeV,束流为1.6mA,辐照剂量为4.5×106Gy,辐照后取少量的石墨烯粉末进行X射线衍射(XRD)分析,辐照前后石墨烯粉末的XRD谱图与图1类似,通过XRD分析发现,经辐照后的石墨烯粉末中出现了氧化石墨烯的特征峰(对应于2θ= 12. 0o),表明石墨烯被氧化。
实施例5:
取石墨烯粉末放入玻璃瓶中,将玻璃瓶置于电子束辐照的辐照室中,加速电压为1MeV,束流为1.5mA,辐照剂量为4×106Gy,辐照后取少量的石墨烯粉末进行X射线衍射(XRD)分析,辐照前后石墨烯粉末的XRD谱图与图1类似,通过XRD分析发现,经辐照后的石墨烯粉末中出现了氧化石墨烯的特征峰(对应于2θ= 12. 0o),表明石墨烯被氧化。
实施例6:
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