[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201110166046.7 | 申请日： | 2011-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102385909A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
1.一种存储元件，其包括：
存储层，其配置为基于磁性材料的磁化状态而保持信息，并且该存储层包括：垂直磁化层，其磁化方向处于垂直于膜面的方向；非磁性层；和强磁性层，其沿膜面内方向具有易磁化轴，并且该强磁性层的磁化方向相对于垂直于所述膜面的方向倾斜处于15度～45度范围内的角度，通过所述垂直磁化层隔着所述非磁性层与所述强磁性层的堆叠，并且在所述垂直磁化层和所述强磁性层之间进行磁耦合，从而构成所述存储层；
磁化固定层，其配置为具有固定在垂直于所述膜面的方向的磁化方向；和
非磁性中间层，其配置为设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，其中，
通过沿所述各层的堆叠方向施加电流来记录信息。
2.如权利要求1所述的存储元件，其中，所述存储层的所述垂直磁化层的垂直磁异向性、饱和磁通密度和厚度的乘积处于所述存储层的所述强磁性层的饱和磁通密度的平方和所述强磁性层的厚度的乘积的一倍～两倍的范围内。
3.如权利要求1或2所述的存储元件，其中，所述非磁性中间层为隧道绝缘层。
4.一种存储装置，其包括：
存储元件，其通过沿构成该存储元件的各层的堆叠方向施加电流来记录信息；和
布线，其用于将沿构成所述存储元件的各层的堆叠方向而施加的电流供给所述存储元件，其中，
所述存储元件包括：
存储层，其基于磁性材料的磁化状态而保持信息，并且该存储层包括：垂直磁化层，其磁化方向处于垂直于膜面的方向；非磁性层；和强磁性层，其沿膜面内方向具有易磁化轴，并且该强磁性层的磁化方向相对于垂直于所述膜面的方向倾斜处于15度～45度范围内的角度，通过所述垂直磁化层隔着所述非磁性层与所述强磁性层的堆叠，并且在所述垂直磁化层和所述强磁性层之间进行磁耦合，从而构成所述存储层；
磁化固定层，其具有固定在垂直于所述膜面的方向的磁化方向；和
非磁性中间层，其设置在所述存储层和所述磁化固定层之间。
5.如权利要求4所述的存储装置，其中，所述存储元件的存储层的垂直磁化层的垂直磁异向性、饱和磁通密度和厚度的乘积处于所述存储层的强磁性层的饱和磁通密度的平方和所述强磁性层的厚度的乘积的一倍～两倍的范围内。
6.如权利要求4或5所述的存储装置，其中，所述存储元件的非磁性中间层为隧道绝缘层。
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