[发明专利]带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池及制备方法

权利要求书

1.一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，其特征在于：该电池的结构为：在P型或N型的硅基底(5)的上表面依次为2-10nm上表面非晶氧化铝（401）和5-15nm的p型非晶硅碳（3），上透明导电层（201）和上金属电极（101）；P型或N型的硅基底(5)的下表面依次为2-10nm下表面非晶氧化铝（402）和10-20nm的n型非晶硅或微晶硅(6)，下透明导电层（202）和下金属电极（102）。

2.一种制备如权利要求1所述的带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池的方法，其特征在于包括以下步骤：

1).去除P型或N型的硅基底(5)表面损伤、酸或碱液制绒形成减反射结构及化学清洗；

2).采用HF酸或HF和HCl混酸清洗步骤1）得到的硅基底（5）表面0.5-2分钟；所述氢氟酸为体积比HF：H₂O=1：10-50；所述HF和HCl混酸为体积比HF:HCl:H₂O=2:5:50；

采用原子层沉积同时制备P型或N型的硅基底(5)上表面非晶氧化铝(401)和下表面非晶氧化铝(402)；

沉积氧化铝后在氮气或氩气氛围中退火5-15分钟，退火温度400-450℃，增强非晶氧化铝对硅表面的钝化性能；

3).采用等离子体增强化学气相沉积制备上表面p型非晶硅碳(3)，采用溅射或ALD制备上透明导电层（201）；

  4).采用等离子体增强化学气相沉积制备下表面n型非晶硅或微晶硅(6)，采用溅射或ALD制备下透明导电层（202）；

  5).蒸发、溅射或丝网印刷栅线上金属电极（101）和下金属电极（102）；在300℃以下退火形成欧姆接触。