[发明专利]一种场效应管及场效应管制造方法有效
| 申请号： | 201110166279.7 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102842505A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 制造 方法 | ||
1.一种场效应管制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上制作势阱，及在衬底区域及势阱区域表面生成N+区域、P+区域及栅极区域；
通过化学气相淀积的过程在所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第一氧化层；
将所述栅极区域表面的第一氧化层刻蚀掉，除栅极区域表面外其它区域表面的第一氧化层均保留；
在刻蚀后的所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第二氧化层；
在所述第二氧化层上生成金属层；
对所述金属层进行刻蚀。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底区域及势阱区域表面生成N+区域及P+区域的步骤包括：在所述衬底表面注入N型离子，形成N+区域，及在所述衬底表面注入P型离子，形成P+区域。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过化学气相淀积的过程在生成N+区域及P+区域后的衬底区域表面生成第一氧化层的步骤包括：向反应室内通入含有硅元素和氧元素的气体，气体分解后在生成N+区域及P+区域后的衬底区域表面生成所述第一氧化层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀后的衬底区域表面生成第二氧化层的步骤包括：通过热氧化的方式在刻蚀后的衬底区域表面生成第二氧化层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述金属层进行刻蚀的步骤包括：对衬底区域表面覆盖的所述金属层进行刻蚀。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层及第二氧化层均为二氧化硅。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述金属为铝。
8.一种场效应管，其特征在于，根据如权利要求1-6任意一项所述的方法制造。
9.一种场效应管制造系统，其特征在于，包括：
制作装置，用于在衬底上制作势阱，及在衬底区域及势阱区域表面生成N+区域、P+区域及栅极区域；
第一氧化层生成装置，用于通过化学气相淀积的方式在所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第一氧化层；
刻蚀装置，用于将所述栅极区域表面的第一氧化层刻蚀掉，除栅极区域表面外其它区域表面的第一氧化层均保留，及对金属层进行刻蚀；
第二氧化层生成装置，用于在刻蚀后的所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第二氧化层；
金属层生成装置，用于在所述第二氧化层上生成所述金属层。
10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述第一氧化层生成装置用于向反应室内通入含有硅元素和氧元素的气体，气体分解后在生成N+区域及P+区域后的衬底区域表面生成所述第一氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
