[发明专利]一种金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构无效

专利信息
申请号: 201110166314.5 申请日: 2011-06-20
公开(公告)号: CN102839358A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 李刚;孙仁君 申请(专利权)人: 上海永胜半导体设备有限公司
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 林俭良
地址: 201616*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 有机物 化学 沉积 设备 热吹扫 结构
【权利要求书】:

1.一种金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,包括反应腔、设置在所述反应腔内的载盘、支撑所述载盘的载盘支撑、以及设置在所述载盘下侧的加热体;其特征在于,还包括在所述加热体下侧设置的热屏蔽层、接入吹扫气体的进气通路、以及排出吹扫气体的出气通路;

所述加热体设置在所述热屏蔽层与所述载盘底部之间的加热空间内;所述进气通路接入吹扫气体送至所述加热空间后,并沿水平方向扩散后经所述出气通路排出。

2.根据权利要求1所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述反应腔包括腔体底板、以及在所述腔体底板四周设置的腔体侧板。

3.根据权利要求2所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述进气通路包括在所述腔体底板和/或腔体侧板上均匀分布的气体入口通道,以及一端与所述气体入口通道相接、另一端与所述加热空间相接的、四周封闭的进气通道。

4.根据权利要求3所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述出气通路包括在所述腔体底板和/或腔体侧板上均匀分布的气体出口通道,以及一端与所述气体出口通道相接、另一端与所述加热空间相接的出气通道。

5.根据权利要求4所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述载盘支撑包括设置在所述反应腔的中间位置并支撑所述载盘的中间位置的中央支撑、连接所述中央支撑到所述腔体底板的中央连接件、以及设置在所述反应腔的边缘并支撑所述载盘边缘的边缘支撑。

6.根据权利要求5所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述中央支撑的外围设有通道屏蔽,所述通道屏蔽的下部与所述中央连接件相接,所述通道屏蔽的上部与所述热屏蔽层相接并延伸至所述加热空间;

所述气体入口通道包括在所述腔体底板接入的气体入口管道、以及在所述中央连接件上部设置的水平通道;

所述进气通道由所述中央支撑的外壁与所述通道屏蔽的内壁共同围成,并且下部与所述水平通道连通,上部与所述加热空间连通。

7.根据权利要求6所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述中央连接件为中空结构,并且其侧壁开设有若干出气孔;

所述气体出口通道设置在所述中央连接件的内侧,与所述出气孔连通;

所述热屏蔽层的外侧边缘与所述边缘支撑的内壁之间设有缝隙;

所述出气通道由所述缝隙、热屏蔽层与所述腔体底板之间的空间、所述出气孔和中央连接件的内部空间共同围成。

8.根据权利要求4所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述载盘支撑包括设置在所述反应腔的中间位置并支撑所述载盘的中间位置的中央支撑;

所述气体入口通道包括在所述腔体底板接入的气体入口管道;

所述中央支撑的外围设有通道屏蔽,所述通道屏蔽的下部与所述气体入口管道相接,所述通道屏蔽的上部与所述热屏蔽层相接并延伸至所述加热空间;

所述热屏蔽层的外侧还设有竖直热屏蔽层,所述竖直热屏蔽层顶部与所述载盘的底部之间设有缝隙;

所述出气通道由所述缝隙、所述腔体侧板的内壁与所述竖直热屏蔽层的外壁共同围成;所述气体出口通道设置在所述腔体底板的边缘处。

9.根据权利要求4所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述载盘支撑包括设置在所述反应腔的边缘位置并支撑所述载盘的边缘位置的边缘支撑;

所述气体入口通道包括在所述腔体底板的边缘位置处设置的气体入口管道;

所述边缘支撑的内侧设有通道屏蔽,所述通道屏蔽的下部与所述气体入口管道相接,所述通道屏蔽的上部与所述热屏蔽层相接并延伸至所述加热空间,所述腔体侧板的内壁与所述通道屏蔽的外壁共同围成封闭的所述进气通道;

所述边缘支撑的侧壁设有若干出气孔,所述热屏蔽层的中间位置处设有与所述热屏蔽层与所述腔体底板之间的空间连通的开孔;

所述出气通道由所述腔体侧板的内壁与所述边缘支撑的外壁之间的空间、出气孔、所述热屏蔽层与所述腔体底板之间的空间、以及开孔共同围成。

10.根据权利要求1-9任一项所述的金属有机物化学气相沉积设备的热吹扫结构,其特征在于,所述热吹扫结构还包括控制进入所述进气通路的吹扫气体的流量调节装置;

所述进气通路和/或出气通路中还设有匀气结构。

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