[发明专利]一种具有大机电耦合系数和低插入损耗的声表面波滤波器及其专用压电薄膜无效
| 申请号： | 201110166512.1 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102386885A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;罗景庭;陈超;曾飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64;H01L41/16 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 机电 耦合 系数 插入损耗 表面波 滤波器 及其 专用 压电 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种压电薄膜，其特征在于：所述压电薄膜为掺杂V、Cr和Fe中任一种的ZnO压电薄膜。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜，其特征在于：所述压电薄膜中，V的原子百分数为0.5％-3.5％。
3.根据权利要求1所述的压电薄膜，其特征在于：所述压电薄膜中，Cr的原子百分数为1.9％-9％。
4.根据权利要求1所述的压电薄膜，其特征在于：所述压电薄膜中，Fe的原子百分数为0.5％-1.7％。
5.根据权利要求1-4中任一所述的压电薄膜，其特征在于：所述压电薄膜的厚度为100nm-500nm；所述压电薄膜的压电常数为110pC/N-200pC/N；电阻率为107Ω·cm-1014Ω·cm。
6.一种声表面波滤波器，其特征在于：所述声表面波滤波器包括衬底、沉积于权利要求1-5中任一所述的压电薄膜和设于所述压电薄膜上的输入叉指换能器与输出叉指换能器。
7.根据权利要求6所述的滤波器，其特征在于：所述衬底的材质为金刚石、蓝宝石、类金刚石或碳化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110166512.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
