[发明专利]用于化学气相沉积系统的基板加热基座有效

专利信息
申请号: 201110166633.6 申请日: 2011-06-20
公开(公告)号: CN102842636A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 许国青;李一成;傅作伟;朱乾成 申请(专利权)人: 理想能源设备(上海)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C16/46
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 化学 沉积 系统 加热 基座
【说明书】:

技术领域

本发明涉及设备制造领域,特别涉及一种用于化学气相沉积系统的基板加热基座。

背景技术

在诸多的太阳能电池应用技术中,薄膜太阳能电池因其无污染,能耗少,成本低廉,可以大规模生产等一系列优点,而被广泛应用于航空、航天以及人们的日常生活中。常见的薄膜太阳能电池包括:非晶硅薄膜太阳电池,非晶微晶叠层薄膜太阳能电池,铜铟镓硒薄膜太阳电池和碲化镉薄膜太阳电池。在公开号为CN101027749A和CN101226967A的中国发明专利文件中,揭示了现有技术的薄膜太阳能电池的形成方法。

以非晶硅薄膜太阳电池形成方法为例,制造非晶硅薄膜太阳电池的一个重要工艺环节是在大面积基板上沉积透明导电氧化物(TCO,transparent conductive oxide)薄膜;考虑到基板面积和成本的问题,通常非晶硅薄膜太阳电池的基板选用玻璃材质的基板。所述透明导电氧化物薄膜通常作为非晶硅薄膜太阳能电池的电极,所述透明导电氧化物通常为氧化锌。

现有技术中,沉积薄膜太阳能电池的TCO薄膜的主要设备是化学气相沉积系统是制备。如图1所示,现有技术中化学气相沉积系统包括:反应腔110、喷淋组件120和基板加热基座130,其中:所述喷淋组件120设置在所述反应腔110顶部,所述基板加热基座130与所述喷淋组件120相对设置。所述喷淋组件120用于将包含气态的二乙基锌(DEZ,diethylzinc)和水蒸汽的反应气体传输至喷淋组件120和基板加热基座130之间的反应区;所述基板加热基座130用于支撑基板100且对基板100进行加热。所述基板加热基座130,包括基座131和电热丝132,其中,所述电热丝132是镶嵌于所述基座131内部的;所述基座131具有一上表面,基板100被设置在该上表面。当电热丝132通电后即被加热,通过基座131将设置在其上表面的基板100均匀加热,使所述基板100达到并维持150℃到250℃之间的某一预定反应温度,所述反应气体在所述基板100表面进行反应,从而在所述基板100表面上沉积氧化锌薄膜。

沉积TCO薄膜时,将基板100放置在所述基板加热基座130上,所述基板加热基座130将所述基板100加热到一定的温度,且保持所述基板100的温度;反应气体通过喷淋组件120进入反应腔110内,并在被加热的基板100表面发生热反应,以在基板100的表面沉积一层薄膜。

但是现有技术在对基板进行加热的过程中存在以下问题:由于基板加热基座的边缘暴露在反应气体中,且基板加热基座的边缘具有使反应气体反应成膜的温度,因此在基板加热基座的边缘部分也会沉积薄膜,且该沉积在基板加热基座边缘部分上的薄膜很容易从所述基板加热基座脱落,并在反应腔中形成粉尘,进而影响基板上的薄膜沉积。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于化学气相沉积系统的基板加热基座,可以降低沉积在基板加热基座边缘部分的薄膜脱落的可能性。

为解决上述问题,本发明提供了一种用于化学气相沉积系统的基板加热基座,所述基板加热基座包括上表面,所述上表面用于放置待处理基板,所述上表面包括中心部分和围绕所述中心部分的边缘部分,所述上表面的边缘部分的表面粗糙度大于或等于Rz30μm且小于或等于Rz50μm。

优选地,基板放置在所述上表面时,所述上表面的边缘部分与所述基板之间存在间隔。

优选地,所述上表面的边缘部分与所述基板之间的间隔大于或等于0.1mm且小于或等于2mm。

优选地,所述上表面的边缘部分与所述基板之间的间隔大于0.5mm且小于1.5mm。

优选地,所述基板加热基座包括:中心加热器和可拆卸的边缘加热器,所述中心加热器包括所述上表面的中心部分,所述边缘加热器包括所述上表面的边缘部分,所述边缘加热器能独自从所述装置中移除或更换。

优选地,所述上表面的边缘部分远离所述上表面的中心部分的外边缘到所述上表面的中心部分边缘的垂直距离取值范围为大于或等于9mm且小于或等于13mm。

优选地,所述边缘加热器对基板的加热温度高于所述中心加热器对基板的加热温度。

优选地,其中所述边缘加热器对基板的加热温度与所述中心加热器对基板的加热温度之差与所述上表面的边缘部分与所述基板之间的间隔成正相关。

优选地,所述边缘加热器对基板的加热温度与所述中心加热器对基板的加热温度之差大于或等于5℃且小于或等于10℃。

优选地,所述中心加热器对基板的加热温度取值范围为大于或等于150℃且小于或等于250℃。

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