[发明专利]一种搪瓷电致发光元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110166872.1 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN102256404A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 严为民 申请(专利权)人: 北京德上科技有限公司
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10
代理公司: 北京知本村知识产权代理事务所 11039 代理人: 周自清
地址: 100011 北京市东*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 搪瓷 电致发光 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下工艺步骤:

步骤一 选用薄钢板为基板,按设计裁剪后先作机械处理:去毛刺、冲压成型、打孔、冲压电极安装孔;

步骤二 对基板作物理和化学处理,包括去腐蚀、去油渍、酸洗、披膜、烘干;

步骤三 喷涂或转印底釉瓷釉粉并烧结成结底釉;

步骤四 烧结发光层与喷涂导电层:包括转印发光粉、喷涂介质粉、烧结发光层、喷涂透明导电层、测试透明导电层;

步骤五 安装电极:在电极安装孔处喷涂导电银浆,安装陶瓷垫片和电极片,以铆钉铆接,对发光板进行测试;

步骤六 烧结保护层:喷涂保护层瓷釉粉并烧结,再次喷涂保护层瓷釉粉并烧结;

步骤七 封边成型:边缘涂胶、压边,安装电极保护装置和防水接口;

步骤八 老化性能测试。

2.根据权利要求1所述的搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,步骤二对基板进行酸洗所用的酸性溶液为,以纯净水配制的3%-7%浓度的硫酸溶液。

3.根据权利要求1所述的搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,步骤二对基板所作披膜工艺分两次进行,所用披膜材料分别为:

披膜1:工业粉20%、纯净水47%、酒石酸锑钾3%、三氯化铁20%、硫酸10%;

披膜2:钼酸钠与磷酸的水溶液,其中钼酸钠的浓度为0.15%~0.4%,磷酸的浓度为0.4%~0.7%。

4.根据权利要求1所述的搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,步骤三烧结底釉所喷涂的底釉瓷釉粉为二氧化硅、氧化锌、硼酸、碳酸钠、二氧化钛中任何一种。

5.根据权利要求1所述的搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,步骤四烧结发光层所用的发光粉是按以下方法制备的:将0.1%硫酸铜、0.1%-0.4%稀土加入光学纯硫化锌中,置于1350℃管状炉中,以硫气氛灼烧2小时;灼烧后以纯净水漂洗3~5次,烘干,研磨为300目以上细粉,过500目筛,选550-650目颗粒使用。

6.根据权利要求1所述的搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,步骤四所喷涂的介质粉为二氧化硅、氧化锌、碳酸钙、硼酸、碳酸锂、碳酸钠、二氧化钛中任何一种。

7.根据权利要求1所述的搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,步骤四喷涂透明导电层的方法为:以等量四氯化锡与无水乙醇配制透明导电层溶液,将搪瓷发光板加热到600℃~650℃,并保持温度稳定,均匀喷涂透明导电层溶液。

8.根据权利要求1所述的搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,步骤六两次烧结保护层所采用的材料为,第一次烧结所喷涂的材料为二氧化硅、氧化锌、碳酸钙、硼酸、碳酸钠、碳酸锶中任何一种或所述品种的任意组合;第二次烧结所喷涂的材料为二氧化硅、硼酸、氧化铅中任何一种或所述品种的任意组合。

9.根据权利要求1所述的搪瓷电致发光元件的制造方法,其特征在于,步骤七所述封边工艺包括边缘涂胶、压接封边橡胶条、接缝处理、安装金属封边、使用压边机压边、安装电极保护装置、安装防水接口、测试防护性能、测试绝缘性能。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京德上科技有限公司,未经北京德上科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110166872.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top