[发明专利]放射线检测装置和放射线成像系统有效
申请号: | 201110166963.5 | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN102299161A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 泽田觉;井上正人;大栗宣明;竹田慎市;秋山正喜;武井大希 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20;A61B6/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 检测 装置 成像 系统 | ||
技术领域
本发明涉及放射线检测装置和放射线成像系统。在本说明书中,放射线包括诸如X射线和γ射线的电磁波。
背景技术
近年来实现的放射线检测装置的半导体基板具有大的面积。半导体基板的面积越大,每单位基板的产量越低,并且每单位基板的损耗量越大。出于这个原因,排列多个半导体基板以实现半导体基板面积的增加。当排列多个半导体基板时,它们优选地具有一致的高度。根据日本专利特开No.2008-224429,通过将半导体基板的下表面经由片状多孔阻尼部件(damper member)结合到基体上,调整半导体基板的上表面的高度。
发明内容
当排列多个半导体基板时,必须设定适当的半导体基板之间的间隔,并且使得它们的上表面具有一致的高度。日本专利特开No.2008-224429中公开的技术通过使阻尼部件在垂直于各半导体基板的上表面的方向上收缩,可使得半导体基板的表面高度一致。然而,同时,由于阻尼部件在平行于各半导体基板的方向上拉伸,半导体基板之间的间隔增大。因此,本发明的一个方面提供了用于抑制在其中布置有半导体基板的放射线检测装置中的多个半导体基板之间的间隔偏移的技术。
本发明的一个方面提供了一种放射线检测装置,包括:多个半导体基板,每个半导体基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,用于检测光的光电转换部被形成在第一表面上;放置在所述多个半导体基板的第一表面上的闪烁体层,用于将放射线转换为光;和放置在基体和所述多个半导体基板的第二表面之间的弹性部件,用于支撑所述多个半导体基板的第二表面以使得所述多个半导体基板的第一表面彼此平齐,其中当作为单体测量弹性部件时,立方体被检查物在被在垂直于第一表面的方向上压缩时在平行于第一表面的方向上的拉伸量小于被检查物在被在平行于第一表面的方向上压缩时在垂直于第一表面的方向上的拉伸量。
从(参考附图)下文对示例实施例的描述,本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
结合在本说明书中并且构成其一部分的附图示出了本发明的实施例,并且与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是根据一个实施例的放射线检测装置的例子的示意性截面图;
图2是用于解释基材(base material)的各向异性的视图;
图3是用于解释测量基材的拉伸量的方法的视图;
图4是用于解释基材的拉伸量和重物的重量之间的关系的曲线图;
图5是根据一个实施例的放射线检测装置的另一个例子的示意性截面图;
图6是用于解释根据另一个实施例的放射线成像系统的视图。
具体实施方式
下面将参考附图描述本发明的实施例。
将参考图1描述根据一个实施例的放射线检测装置100的例子。图1是放射线检测装置100的示意性截面图。放射线检测装置100可以包括基体110、弹性部件120、多个半导体基板130和闪烁体面板(scintillator panel)140。闪烁体面板140可以包括闪烁体层141和支撑基板142。闪烁体层141将已进入放射线检测装置100的放射线转换为光。可以通过例如在支撑基板142上气相沉积CsI来形成闪烁体层141。
半导体基板130具有在其上形成有光电转换部的表面(第一表面),并且检测由闪烁体层141转换成的光。闪烁体面板140被放置在其上形成有光电转换部的表面(第一表面)之上。放射线检测装置100可以包括多个半导体基板130。图1作为例子示出了两个半导体基板130。然而,可使用的基板数目不限于此。半导体基板130的位于闪烁体面板140侧的表面被固定为彼此平齐。半导体基板130的位于与闪烁体面板140相对的一侧的表面(第二表面)被固定到基体110上的弹性部件120支撑。
弹性部件120可以包括基材121以及将基材121夹在中间的粘接层122和123。半导体基板130通过粘接层123接合到基材121。基体110通过粘接层122接合到基材121。即,弹性部件120还作为粘接部件。基材121可被粘接材料覆盖,而不是被夹在粘接层122和123之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的