[发明专利]半导体发光元件制造方法与半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件制造方法，其特征是，所述半导体发光元件制造方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成至少一组磊晶结构，所述磊晶结构包括第一型掺杂层、发光区以及第二型掺杂层，所述磊晶结构通过其第一表面接触该基板；

进行电极形成步骤，以在所述第一型掺杂层的第二表面上形成第一电极；

进行功能结构形成步骤，通过原位形成方法在所述第一电极的上方形成功能结构；

进行移除步骤，移除所述基板而暴露出所述磊晶结构，以形成暴露的磊晶结构；以及

对于所述暴露的磊晶结构进行蚀刻步骤，以便于进一步暴露出所述第一电极的至少部分表面。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述第一表面是所述第一型掺杂层接触所述基板的接触面，并且所述第一表面与所述第二表面相对。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述磊晶结构还包含接触层，其位于所述第一型掺杂层与所述基板之间，所述接触层包括下列族群中之一或者其任意组合：未掺杂层（undoped layer）、缓冲层（buffer layer）以及超晶格层（super lattice layer）。

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述第一表面是所述接触层接触所述基板的接触面。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述移除步骤是暴露所述磊晶结构的所述第一表面，并且所述蚀刻步骤是由所述第一表面蚀刻所述磊晶结构。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述移除步骤同时包括粗化所述磊晶结构，以便于在进行后续的蚀刻步骤之前，暴露出经粗化的磊晶结构。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：在所述移除步骤之后，还包括粗化步骤以粗化所述暴露的磊晶结构，以在进行后续的蚀刻步骤之前，形成经粗化的磊晶结构。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：在所述电极形成步骤中，还包括在所述第二型掺杂层的第三表面上形成第二电极。

9.根据权利要求8所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：在所述蚀刻步骤中，还包括暴露出所述第二电极的至少部分表面。

10.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述第一型掺杂层是n型掺杂层（n-type layer），而所述第二型掺杂层是p型掺杂层 （p-type layer）。

11.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述第一型掺杂层是p型掺杂层 （p-type layer），而所述第二型掺杂层是n型掺杂层（n-type layer）。

12.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述功能结构形成步骤包括下列子步骤：

在所述电极的上方形成绝缘层；

在所述绝缘层的上方形成反射层；

在所述反射层的表面上形成种子层；以及

在所述种子层的表面上形成永久基板；

其中上述所有子步骤使用所述原位形成方法。

13.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述功能结构形成步骤包括下列子步骤：

在所述电极的上方形成绝缘层；

在所述绝缘层的上方形成反射层；以及

在所述种子层的表面上形成永久基板；

其中上述所有子步骤使用所述原位形成方法。

14.根据权利要求1所述的半导体发光元件制造方法，其特征是：所述功能结构形成步骤包括下列子步骤：

在所述电极的上方形成绝缘反射层；以及

在所述绝缘反射层的表面上形成永久基板；

其中上述所有子步骤使用该原位形成方法。