[发明专利]固态成像装置和电子装置有效
申请号: | 201110167128.3 | 申请日: | 2011-06-20 |
公开(公告)号: | CN102290424A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 户田淳;平山照峰 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子 | ||
1.一种固态成像装置,其包括:
基板,其具有电荷累积区域;和
光电转换区域,其用于产生信号电荷,所述信号电荷累积在所述电荷累积区域中,所述光电转换区域设置在所述基板上,
其中,所述光电转换区域包括不透明的材料。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中,所述材料包括具有黄铜矿结构的化合物半导体。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中,所述电荷累积区域包括形成在所述基板中的第一导电类型区域,所述第一导电类型区域用于累积由所述光电转换区域产生的所述信号电荷。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
透明电极,其形成在所述基板上,
其中,所述光电转换区域位于所述透明电极与所述基板之间。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
读出电路,其用于输出对应于所述信号电荷的电信号,
其中,所述光电转换区域有效阻挡入射光进入所述读出电路。
6.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中,所述光电转换区域邻近于所述电荷累积区域。
7.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中,所述光电转换区域位于多个电荷累积区域上方。
8.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中,所述固态成像装置是后表面照射型图像传感器。
9.一种电子设备,其包括:
固态成像装置,其包括基板和用于产生信号电荷的光电转换区域,所述光电转换区域设置在所述基板上;和
信号处理单元,其用于处理所述固态成像装置的输出,
其中,所述光电转换区域包括不透明的材料。
10.根据权利要求9所述的电子设备,其中,所述材料包括硅化物或具有黄铜矿结构的化合物半导体。
11.根据权利要求9所述的电子设备,还包括:
电荷累积区域,其形成在所述基板内,
其中,所述光电转换区域位于多个电荷累积区域上方。
12.一种用于制造固态成像装置的方法,所述方法包括:
在基板中形成电荷累积区域;和
形成电连接到所述电荷累积区域的光电转换区域,所述电荷累积区域用于累积由所述光电转换区域产生的信号电荷,
其中,所述光电转换区域包括不透明的材料。
13.根据权利要求12所述的方法,还包括:
在所述光电转换区域上形成透明电极。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括:
在所述光电转换区域上形成具有第一导电类型的层。
15.根据权利要求12所述的方法,其中,所述材料包括具有黄铜矿结构的化合物半导体。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,通过所述化合物半导体的外延生长形成所述光电转换区域。
17.根据权利要求12所述的方法,还包括:
通过将杂质注入所述光电转换区域的选定部分中而在所述光电转换区域中形成像素分隔部,
其中,所述像素分隔部在所述光电转换区域中形成位于邻近像素之间的电位势垒。
18.根据权利要求17所述的方法,还包括:
形成介于所述像素分隔部与所述基板之间的绝缘区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的