[发明专利]X射线CT装置有效
申请号: | 201110167497.2 | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN102283668A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 佐乡朋英;山崎敬之;中山道人;桥本笃;宫城武史 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝医疗系统株式会社 |
主分类号: | A61B6/03 | 分类号: | A61B6/03;G01T1/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射线 ct 装置 | ||
1.一种X射线CT装置,其特征在于,具备:
X射线源,产生X射线;
闪烁器,基于上述X射线发出荧光;
基板,形成有多个将上述荧光变换为电信号的光电二极管的受光元件;
温度传感器,形成于上述基板表面;
热源元件,形成于上述基板表面;以及
控制部,基于上述温度传感器检测出的温度来调整上述热源元件的电流,由此控制上述光电二极管的温度。
2.如权利要求1所述的X射线CT装置,其特征在于,
上述基板具备沟道。
3.如权利要求2所述的X射线CT装置,其特征在于,
上述沟道形成于上述温度传感器与上述热源元件之间。
4.如权利要求1~3中任一项所述的X射线CT装置,其特征在于,
还具备冷却扇,
上述控制部在扫描时,通过调整上述冷却扇的风量来控制上述光电二极管的温度。
5.如权利要求1~4中任一项所述的X射线CT装置,其特征在于,
上述控制部设定上述光电二极管的温度的目标值,在非扫描时,控制上述光电二极管的温度,以使上述光电二极管的温度成为上述目标值。
6.如权利要求1~5中任一项所述的X射线CT装置,其特征在于,
上述温度传感器和上述热源元件以半导体工艺制造,埋设于上述光电二极管中。
7.如权利要求6所述的X射线CT装置,其特征在于,
将上述热源元件设为电阻元件。
8.如权利要求6所述的X射线CT装置,其特征在于,
将上述热源元件设为单极型晶体管。
9.如权利要求8所述的X射线CT装置,其特征在于,
将上述热源元件设为金属-氧化物-半导体场效应晶体管即MOSFET。
10.如权利要求6所述的X射线CT装置,其特征在于,
将上述热源元件设为双极型晶体管。
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