[发明专利]X射线CT装置有效

专利信息
申请号: 201110167497.2 申请日: 2011-06-21
公开(公告)号: CN102283668A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 佐乡朋英;山崎敬之;中山道人;桥本笃;宫城武史 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝医疗系统株式会社
主分类号: A61B6/03 分类号: A61B6/03;G01T1/20
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 射线 ct 装置
【权利要求书】:

1.一种X射线CT装置,其特征在于,具备:

X射线源,产生X射线;

闪烁器,基于上述X射线发出荧光;

基板,形成有多个将上述荧光变换为电信号的光电二极管的受光元件;

温度传感器,形成于上述基板表面;

热源元件,形成于上述基板表面;以及

控制部,基于上述温度传感器检测出的温度来调整上述热源元件的电流,由此控制上述光电二极管的温度。

2.如权利要求1所述的X射线CT装置,其特征在于,

上述基板具备沟道。

3.如权利要求2所述的X射线CT装置,其特征在于,

上述沟道形成于上述温度传感器与上述热源元件之间。

4.如权利要求1~3中任一项所述的X射线CT装置,其特征在于,

还具备冷却扇,

上述控制部在扫描时,通过调整上述冷却扇的风量来控制上述光电二极管的温度。

5.如权利要求1~4中任一项所述的X射线CT装置,其特征在于,

上述控制部设定上述光电二极管的温度的目标值,在非扫描时,控制上述光电二极管的温度,以使上述光电二极管的温度成为上述目标值。

6.如权利要求1~5中任一项所述的X射线CT装置,其特征在于,

上述温度传感器和上述热源元件以半导体工艺制造,埋设于上述光电二极管中。

7.如权利要求6所述的X射线CT装置,其特征在于,

将上述热源元件设为电阻元件。

8.如权利要求6所述的X射线CT装置,其特征在于,

将上述热源元件设为单极型晶体管。

9.如权利要求8所述的X射线CT装置,其特征在于,

将上述热源元件设为金属-氧化物-半导体场效应晶体管即MOSFET。

10.如权利要求6所述的X射线CT装置,其特征在于,

将上述热源元件设为双极型晶体管。

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