[发明专利]可调节维持电压ESD保护器件有效
| 申请号： | 201110167566.X | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102468297A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 黃新言 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调节 维持 电压 esd 保护 器件 | ||
1.一种静电放电(ESD)保护器件，包括：
双极PNP晶体管，包括：
发射极，由第一高压P型区域和设置在所述第一高压P型区域
上的第一P+区域形成；以及
集电极，由第二高压P型区域和设置在所述第二高压P型区域
上的第二P+区域形成。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一高压P型区域设置在第一隔离区之下。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二高压P型区域设置在所述第一隔离区之下。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一高压P型区域通过高压N阱区与所述第二高压P型区域隔离。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述双极PNP晶体管具有基极，所述基极浮置或电连接至所述发射极。
6.一种ESD保护结构，包括：
高压N阱；
第一高压P型区域，设置在所述高压N阱上；
第一P+区域，设置在所述第一高压P型区域上；
第二P+区域，邻近所述第一P+区域设置；以及
N+区域，设置在所述高压N阱上。
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一P+区域通过第一隔离区与所述第二P+区域隔离。
8.根据权利要求6所述的结构，进一步包括：第二高压P型区域，设置在所述高压N阱上。
9.根据权利要求6所述的结构，其中，所述第一高压P型区域具有1015/cm3至1016/cm3的掺杂浓度。
10.一种半导体芯片，包括：
双极PNP晶体管，包括：
发射极，由第一高压P型区域和设置在所述第一高压P型区域上的第一P+区域形成；以及
集电极，由第二高压P型区域和设置在所述第二高压P型区域上的第二P+型区域形成；
第一焊盘，与所述双极PNP晶体管的所述发射极电连接；
第二焊盘，与所述双极PNP晶体管的所述集电极电连接；以及
多个电路，具有与所述第一焊盘电连接的第一端子和与所述第二焊盘电连接的第二端子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
